[发明专利]一种用于原边控制的电流延时补偿结构

说明书

本发明公开了用于原边控制的电流延时补偿结构，包括：原边采样电阻；原边控制开关；第一比较模块；第二比较模块，用于比较原边采样电阻两端的实际电压与第二电压阈值；第三比较模块，用于比较原边采样电阻两端的实际电压与第一电压阈值；取反模块；控制模块，控制模块分别与第一比较模块、第二比较模块、第三比较模块和取反模块连接，用于根据第二比较模块和第三比较模块的比较输出结果，调整预设电压。本发明通过延时补偿方式保证原边控制开关关断时，原边采样电阻两端的实际电压一直处于第一电压阈值和第二电压阈值之间，使得原边实际电流峰值保持在预设范围内，从而提高整流器恒流控制的精度。

技术领域

本发明属于集成电路领域，更具体地，涉及一种用于原边控制的电流延时补偿结构。

背景技术

原边控制整流器已经发展多年，但是它的恒流控制精度，一直以来都不理想。根据原边控制整流器的工作原理：Io＝0.5*(Np/Ns)*Ipk*Ton/Tsw，其中，Io为输出电流，Np为变压器原边的匝数，Ns为变压器副边的匝数，Ipk是流过变压器原边的峰值电流，Ton是副边整流管的导通时间，Tsw是一个开关周期的时间。由上述公式可知，流过变压器原边的峰值电流对恒定的输出电流有直接影响，因此，通过控制流过变压器原边的峰值电流的精度来控制恒定的输出电流。

目前，常用的方法是通过检测外部检测电阻的电压来检测原边的峰值电流。但是，由于IC模块内部存在传输延时，IC模块输出的关断信号从高电平转为低电平也需要转换时间，而MOSFET功率开关管关断也需一定的关断时间，所以总的关断延时是上述三种延时的之和。这就意味着外部检测电阻的电压达到电流限定值之后，不是立刻就将MOSFET关断，而是经过一段延时才将其关断，原边电感中的电流继续上升，其数值要比理论的数值大，由于在不同的输入电压下，电感电流上升的斜率不同，在低电压下，上升斜率小，在高压下，上升斜率大，这就造成在经过相同的延时之后，实际的原边电感电流峰值在不同输入电压下存在差异。而输出电流的平均值又和原边的电流有关，所以造成了输出电流也存在差异。为了减小内部延时造成的误差，可以采用对输入电压进行前馈补偿的方法，最常见的就是直接从输入电压处引入一个很大阻值的电阻接到电流检测电阻上面，但是，这种方法通过外围补偿，其成本高，而且补偿的量是根据输入电压和外部的分压电阻来决定的，在一定的输入电压情况下，没有补偿效果，在另一些输入电压情况下，又超过了所需补偿的极限。

因此，特别需要一种方法能够提高整流器恒流控制的精度。

发明内容

本发明的目的是提出一种提高整流器恒流控制精度的用于原边控制的电流延时补偿结构。

为了实现上述目的，本发明提供了一种用于原边控制的电流延时补偿结构，所述延时补偿结构包括：

原边采样电阻；

原边控制开关，所述原边控制开关分别与所述原边采样电阻和原边电感连接；

第一比较模块，所述第一比较模块与所述原边采样电阻连接，用于比较所述原边采样电阻两端的实际电压与预设电压；

第二比较模块，所述第二比较模块与所述原边采样电阻连接，用于比较所述原边采样电阻两端的实际电压与第二电压阈值；

第三比较模块，所述第三比较模块与所述原边采样电阻连接，用于比较所述原边采样电阻两端的实际电压与第一电压阈值；

取反模块，所述取反模块分别与所述第一比较模块和原边控制开关连接；

控制模块，所述控制模块分别与所述第一比较模块、第二比较模块、第三比较模块和取反模块连接，用于根据所述第二比较模块和第三比较模块的比较输出结果，调整所述预设电压。

优选的，当所述第二电压阈值大于或等于所述原边采样电阻两端的实际电压时，所述第二比较模块输出高电平，所述控制模块增大所述预设电压；