[发明专利]一种用于原边控制的电流延时补偿结构

权利要求书

1.一种用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述延时补偿结构包括：

原边采样电阻；

原边控制开关，所述原边控制开关分别与所述原边采样电阻和原边电感连接；

第一比较模块，所述第一比较模块与所述原边采样电阻连接，用于比较所述原边采样电阻两端的实际电压与预设电压；

第二比较模块，所述第二比较模块与所述原边采样电阻连接，用于比较所述原边采样电阻两端的实际电压与第二电压阈值；

第三比较模块，所述第三比较模块与所述原边采样电阻连接，用于比较所述原边采样电阻两端的实际电压与第一电压阈值；

取反模块，所述取反模块分别与所述第一比较模块和原边控制开关连接；

控制模块，所述控制模块分别与所述第一比较模块、第二比较模块、第三比较模块和取反模块连接，用于根据所述第二比较模块和第三比较模块的比较输出结果，调整所述预设电压；

当所述第二电压阈值大于或等于所述原边采样电阻两端的实际电压时，所述第二比较模块输出高电平，所述控制模块增大所述预设电压；

当所述第一电压阈值小于或等于所述原边采样电阻两端的实际电压时，所述第三比较模块输出高电平，所述控制模块减小所述预设电压；

当所述第二电压阈值小于所述原边采样电阻两端的实际电压时，所述第二比较模块输出低电平，所述第一电压阈值大于所述原边采样电阻两端的实际电压时，所述第三比较模块输出低电平，所述控制模块保持所述预设电压。

2.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述控制模块按预设步长逐渐增大或减小所述预设电压。

3.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述原边控制开关为MOSFET功率管。

4.根据权利要求3所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述原边控制开关的漏极与所述原边电感连接，所述原边控制开关的源极与所述原边采样电阻的一端连接，所述原边采样电阻的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述第一比较模块的正极输入端与所述原边采样电阻和所述原边控制开关的栅极相连的一端连接，所述第一比较模块的负极输入端与所述控制模块的输出端连接，所述第一比较模块的输出端与所述取反模块的输入端连接，所述取反模块的输出端分别与所述控制模块和所述原边控制开关的栅极连接；

所述第二比较模块的负极输入端与所述原边采样电阻和所述原边控制开关的栅极相连的一端连接，所述第二比较模块的正极输入端的电压为第二电压阈值，所述第二比较模块的输出端与所述控制模块连接；

所述第三比较模块的正极输入端与所述原边采样电阻和所述原边控制开关的栅极相连的一端连接，所述第三比较模块的负极输入端的电压为第一电压阈值，所述第三比较模块的输出端与所述控制模块连接。

6.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述控制模块输出端的输出为预设电压，所述预设电压为原边控制开关关断时，所述原边采样电阻两端的预期电压。

7.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述第一电压阈值高于所述第二电压阈值。

8.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述控制模块为双向加法器。

9.根据权利要求1所述的用于原边控制的电流延时补偿结构，其特征在于，所述第一比较模块、第二比较模块、第三比较模块均为比较器。