[发明专利]OLED显示面板及OLED显示装置有效
申请号: | 201910059547.1 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109817667B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 方亮;丁玎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
一种OLED显示面板及OLED显示装置,其优点在于,将OLED显示面板分为多个子显示区,远离驱动区一侧的子显示区内的存储电容偏大,工作电流相应偏大,进而能够补偿传统OLED显示面板远离驱动区一侧的偏小的工作电流,改善发光不均现象,且相对双层SD结构设计,本发明制作工艺简化,生产成本降低,可提升显示装置的广泛使用性。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种OLED显示面板及OLED显示装置。
背景技术
在显示技术领域,液晶显示面板(Liquid CrystA1l DisplA1y,LCD)与有机发光二极管显示面板(OrgA1nic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示装置已经逐步取代阴极线管显示器。其中,OLED显示面板以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐占据上风,未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
OLED显示面板主流驱动方式为电流驱动,工作电流由显示面板的下边框处通过源漏极(SD:Source/Drain)进行传输,因源漏极自身存在一定电阻,信号传输存在电压下降(IR Drop)现象,即相对于下边框而言,沿远离下边框的方向电压逐渐变小,输入电流相应减小,最终导致显示面板出现亮度不均现象,影响产品的使用性能。
目前,一种解决OLED显示面板发光亮度不均的方法为双层SD结构。图1是现有的一种OLED显示面板的结构示意图,请参阅图1,OLED显示面板包括上下层叠设置的一第一源漏极层10及一第二源漏极层11,有机发光层的阳极12与所述第二源漏极层11连接,所述第二源漏极层11采用网状结构设计。即所述OLED显示面板采用双层SD结构,所述显示面板通过并联电路控制电压下降,进而改善产品亮度不均现象。但双层SD结构设计因制作工艺复杂、成本高昂等缺点制约其普及应用。
因此,亟需一种新型的OLED显示面板以克服现有的OLED显示面板亮度不均的缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种OLED显示面板及OLED显示装置,其能够改善OLED显示面板发光不均现象。
为了解决上述问题,本发明提供了一种OLED显示面板,包括一驱动区及多个子显示区,所述子显示区沿远离所述驱动区的方向依次设置,所述子显示区包括多个子像素,所述子像素具有一存储电容,沿远离所述驱动区的方向,位于不同所述子显示区的所述存储电容的电容值逐渐增大。
在一实施例中,所述子像素包括一第一栅极、与所述第一栅极对应设置的一第二栅极及一设置在所述第一栅极与所述第二栅极之间的绝缘层,所述第一栅极、所述第二栅极及所述绝缘层形成所述存储电容。
在一实施例中,沿远离所述驱动区的方向,所述第一栅极与所述第二栅极的重叠面积随所述子显示区的改变而逐渐增大,以使位于不同所述子显示区的所述存储电容的电容值逐渐增大。
在一实施例中,所述第二栅极具有至少一开孔,沿远离所述驱动区的方向,位于不同所述子显示区的所述开孔的面积逐渐减小,以使所述第一栅极与所述第二栅极的重叠面积随所述子显示区的改变而逐渐增大。
在一实施例中,所述子显示区的所述第一栅极的面积均相等。
在一实施例中,位于同一子显示区的所述开孔的面积相等。
在一实施例中,同一所述子显示区内的所述存储电容的电容值相同。
在一实施例中,所述驱动区包括多个信号传送线,每一所述信号传送线延伸至所述子显示区,并依次连接每一所述子显示区的至少一个所述子像素。
在一实施例中,所述显示面板还包括一边框区,所述边框区包围所述子显示区,所述驱动区位于所述边框区。
本发明还提供一种OLED显示装置,其包括如上所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的