[发明专利]一种柔性薄膜太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一待切割电池芯片结构，所述待切割电池芯片结构包括依次叠加的刚性衬底、柔性衬底、金属键合层、第二欧姆接触层、电池外延层、第一欧姆接触层、电极结构和减反射膜，其中，在所述电极结构一侧刻蚀有切割道和至少一个背电极槽，且所述切割道和背电极槽均刻蚀至所述金属键合层，所述电极结构包括至少一个上电极和多条栅线，所述第一欧姆接触层对应所述上电极和所述栅线处外为镂空，及所述减反射膜对应所述上电极和所述背电极槽处为镂空；

对所述刚性衬底背离柔性衬底一侧进行减薄至预设厚度；

沿所述切割道进行切割得到至少一个初始柔性薄膜太阳电池；

去除所述初始柔性薄膜太阳电池的所述刚性衬底得到所述柔性薄膜太阳电池。

2.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，沿所述切割道进行切割得到至少一个初始柔性薄膜太阳电池，包括：

采用金刚石刀片或激光切割机沿所述切割道进行切割得到至少一个初始柔性薄膜太阳电池。

3.根据权利要求2所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，所述金刚石刀片的刀刃露出量不小于0.3mm，及切割速度不超过30mm/s；

以及，所述激光切割机的划片次数为1道-5道，包括端点值，切割速度为10mm/s-300mm/s，包括端点值，及激光功率为1W-4W，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，所述待切割电池芯片结构的制作过程包括：

提供一临时衬底；

在所述临时衬底上依次叠加生长缓冲层、腐蚀截止层、第一欧姆接触层、电池外延层和第二欧姆接触层；

在所述第二欧姆接触层背离所述临时衬底一侧固定一柔性衬底，且在所述柔性衬底背离所述临时衬底一侧固定一刚性衬底，其中，所述柔性衬底与所述第二欧姆接触层之间通过金属键合层固定；

去除所述临时衬底、缓冲层和所述腐蚀截止层；

在所述第一欧姆接触层背离所述柔性衬底一侧形成电极结构，所述电极结构包括至少一个上电极和多条栅线；

在所述电极结构一侧刻蚀切割道和至少一个背电极槽，且所述切割道和背电极槽均刻蚀至所述金属键合层；

在所述电极结构一侧进行选择性腐蚀，去除所述第一欧姆接触层对应所述上电极和所述栅线以外的部分；

在所述电极结构背离所述柔性衬底一侧沉积减反射膜，且将所述减反射膜对应所述上电极和所述背电极槽处的部分去除。

5.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，所述电池外延层包括：

位于所述第二欧姆接触层背离所述柔性衬底一侧的底电池；

位于所述底电池背离所述柔性衬底一侧的第二隧穿结；

位于所述第二隧穿结背离所述柔性衬底一侧的中电池；

位于所述中电池背离所述柔性衬底一侧的第一隧穿结；

位于所述第一隧穿结和所述第一欧姆接触层之间的顶电池。

6.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，对所述刚性衬底背离柔性衬底一侧进行减薄至预设厚度，包括：

对所述刚性衬底背离柔性衬底一侧进行减薄不大于300微米的厚度，其中，所述刚性衬底减薄前厚度为50微米-500微米，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，所述刚性衬底的弹性模量不小于50GPa。

8.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，所述柔性衬底为不锈钢衬底、PI衬底、金箔衬底或金属衬底。

9.根据权利要求1所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法，其特征在于，所述金属键合层冷镀于所述柔性衬底上；

其中，所述金属键合层的材质为Cr、Ti、Ni或Au。

10.一种柔性薄膜太阳电池，其特征在于，所述柔性薄膜太阳电池采用权利要求1～9任意一项所述的柔性薄膜太阳电池的制作方法制作而成。