[发明专利]光刻胶去除方法及铝制程工艺方法

说明书

本发明提供了一种光刻胶去除方法和一种铝制程工艺方法，在本发明提供的光刻胶去除方法和铝制程工艺方法中，以一光刻胶层为腌膜对基底上形成的金属结构层进行刻蚀后，对所述光刻胶层进行灰化处理分两步进行，第一步是在120℃～140℃下，第二步是在290℃～310℃下，如此便可避免后续清洗步骤使得金属结构层中出现空洞。如上所述，当灰化处理的温度过高时，光刻胶发生固化附着力会增强，从而难以被除去，因此，先用相对较低的温度(120℃～140℃)进行初步处理，而后再用相对较高的温度(290℃～310℃)进一步处理，如此，便可缩短光刻胶在较高温度下的时间，从而避免光刻胶发生固化而导致难以清除的情况。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻胶去除方法和一种铝制程工艺方法。

背景技术

在采用铝制程工艺进行半导体器件制造的过程中，需要去除掩膜环节所引入的光刻胶。在去除光刻胶之前，需要对光刻胶进行灰化处理来使光刻胶易于清洗，然后再进行清洗处理。由于灰化温度直接影响图形化的光刻胶层的粘稠度，当灰化温度低时，光刻胶就会很粘稠，这样就增大了污染制造环境的可能。而当灰化温度高时，光刻胶就会变得很硬继而使得光刻胶的附着力增强，这样就增大了通过清洗环节去除表面光刻胶的难度。

现有技术出于对光刻胶粘稠程度、硬度和去除效果的综合考虑，灰化处理时一般采用250℃左右的温度，但研究发现，在此温度下进行灰化处理后的金属结构层在后续清洗处理过程中容易产生缺陷，使得金属结构层出现空洞，从而影响最终形成的半导体器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻胶去除方法和一种铝制程工艺方法，以解决铝制程工艺中金属结构层容易出现空洞的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻胶去除方法，所述方法包括：

以一光刻胶层为掩膜对基底上形成的金属结构层进行刻蚀后，先在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理，再在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理，以及，对灰化处理后的所述光刻胶层进行清洗处理；

其中，所述金属结构层包括一铝层，所述铝层中掺杂有铜。

可选地，在所述的的光刻胶去除方法中，在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理的时间为15秒～25秒；在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理的时间为35秒～55秒。

可选地，在所述的的光刻胶去除方法中，在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理包括：向灰化处理室中通入氧气，或通入氧气和氮气的混合气体来产生等离子体。

可选地，在所述的的光刻胶去除方法中，在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理包括：向灰化处理室中通入氧气，或通入氧气和氮气的混合气体来产生等离子体。

可选地，在所述的的光刻胶去除方法中，所述光刻胶去除方法还包括：清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。

可选地，在所述的的光刻胶去除方法中，采用超声波的方式清除经所述清洗处理后的光刻胶残渣。

本发明还提供一种铝制程工艺方法，所述方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成金属结构层，所述金属结构层包括一掺杂有铜的铝层；

以一光刻胶层为掩膜对所述金属结构层进行刻蚀以暴露出所述基底；以及通过如上所述的光刻胶去除方法去除所述光刻胶层。

可选地，在所述的铝制程工艺方法中，以一光刻胶层为掩膜对所述金属结构层进行刻蚀之前，所述铝制程工艺方法还包括：先在所述金属结构层上形成抗反射介质层，所述光刻胶层覆盖所述抗反射介质层。