[发明专利]薄膜太阳能电池吸收层的制备方法及镀膜设备

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，所述薄膜太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、背电极层和吸收层，所述吸收层包括金属元素和非金属元素，其特征在于，所述吸收层的制备方法包括：

调节沉积所述吸收层的沉积腔室内的压力达到预设压力阈值；

对已形成有所述背电极层的衬底进行加热，调节所述衬底的温度达到预设沉积温度阈值；以及

对金属源进行加热，调节所述金属源的加热功率达到第一预设功率阈值，或调节所述金属源的沉积速率达到第一预设沉积速率阈值；以及

对非金属源进行加热，调节所述非金属源的加热功率达到第二预设功率阈值或调节所述非金属源的沉积速率达到第二预设沉积速率阈值；

根据所述沉积腔室的压力、所述衬底的温度、所述金属源的加热功率或沉积速率，以及所述非金属源的加热功率或沉积速率，在所述背电极层远离所述衬底的表面沉积具有预设含量的金属元素且膜层达到预设厚度的吸收层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述吸收层包括铜铟镓硒膜层，所述铜铟镓硒膜层中铜Cu的预设含量为0.52≤Cu/(In+Ga)≤0.98，和/或所述铜铟镓硒膜层中镓Ga的预设含量为0.1≤Ga/(In+Ga)≤0.7。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述吸收层包括铜铟镓硒膜层，所述铜铟镓硒膜层中铜Cu的预设含量为0.6≤Cu/(In+Ga)≤0.96，和/或所述铜铟镓硒膜层中镓Ga的预设含量为0.2≤Ga/(In+Ga)≤0.62。

4.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述第一预设沉积速率阈值为5～100mg/s，和/或所述第二预设沉积速率阈值为5～100mg/s。

5.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述第一预设沉积速率阈值为10～50mg/s，和/或所述第二预设沉积速率阈值为10～50mg/s。

6.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述第一预设功率阈值为100～3000W，和/或所述第二预设功率阈值为200～2000W。

7.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述第一预设功率阈值为200～2000W，和/或所述第二预设功率阈值为400～900W。

8.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述预设压力阈值大于1.0×10^-3Pa，所述预设沉积温度阈值为200～600℃，所述预设厚度为1.0～3.0μm。

9.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述预设压力阈值大于1.1×10^-3Pa，所述预设沉积温度阈值为500～540℃，和/或所述预设厚度为1.8～2.6μm。

10.一种采用如1～9任一项所述的制备方法制备薄膜太阳能电池吸收层的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备包括金属源、非金属源、第一加热器、第二加热器和第三加热器；所述金属源内填充有金属单质原料，所述非金属源内填充有非金属单质原料；

控制器用于控制所述第一加热器加热衬底，使衬底的温度达到预设温度阈值，控制所述第二加热器加热金属源，使金属源的加热功率达到第一预设功率阈值或金属源的沉积速率达到第一预设沉积速率阈值，控制所述第三加热器加热非金属源，使非金属源的加热功率达到第二预设功率阈值或非金属源的沉积速率达到第二预设沉积速率阈值。