[发明专利]一种峰值检测电路

说明书

本发明公开一种峰值检测电路，包括差分放大电路和积分电路，所述差分放大电路包括晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)、电阻(R1)、电阻(R2)；所述积分电路包括晶体管(M4)、晶体管(M5)、电阻(R3)、电容(C1)；所述晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)的基极分别连接输入信号，该晶体管(M1)的集电极和电阻(R1)一端连接，该电阻(R1)另一端信号输出；所述晶体管(M4)基极与晶体管(M1)的集电极连接，所述积分电路通过该晶体管(M4)的集电极与该晶体管(M5)的集电极信号输出。本发明在于提供一种结构简单，成本低廉，检测效果高，检测效果好的一种峰值检测电路。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种峰值检测电路。

背景技术

目前传统的峰值检测电路多是采用多级电路结构，这种多级结构需要包括斩波电压幅度获取，直流电压复位，电压信号放大等步骤，电路设计复杂，通常需要的电路器件超过100余个，造成了检测电路成本高，检测复杂，效率低下，检测效果不好。

中国专利申请号:01267474.5，申请日：2001年10月11日，公开日：2002年10月30日，专利名称为：一种互补型差分峰值检测电路，公开了一种互补型差分峰值检测电路,其至少由一对互补比较器、一对电平移位跟随器、一对金属氧化物半导体(MOS)存储电容、四个MOS开关、一对放电电流源、一对偏置电流源以及一个以上分压电阻构成；当输入信号电压VIN大于等于当前上峰值电压VP时,充电开关导通,MOS存储电容被充电,上极板电压升高,使得VP的值升高,直到VP＝VIN,完成上峰值的检测；当输入信号电压VIN小于当前上峰值电压VP时,充电开关闭合,MOS存储电容被缓慢放电,上极板电压降低,使VP的值降低,直到VP＝VIN,完成上峰值的检测,下峰值原理相同。本发明的电路不仅可以减少电路走线和元器件数目,缩小集成芯片面积,降低电路设计复杂度和功耗,同时可以提高整个电路的稳定性和可靠性。

上述专利文献虽然公开了一种互补型差分峰值检测电路，但是，该峰值检测电路电路结构复杂，成本高，检测效率不高，检测效果不好是该领域应用的一大缺陷。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明在于提供一种结构简单，成本低廉，检测效果高，检测效果好的一种峰值检测电路。

为了实现本发明目的，可以采取以下技术方案：

一种峰值检测电路，包括差分放大电路和积分电路，所述差分放大电路包括晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)、电阻(R1)、电阻(R2)；所述积分电路包括晶体管(M4)、晶体管(M5)、电阻(R3)、电容(C1)；所述晶体管(M1)、晶体管(M2)、晶体管(M3)的基极分别连接输入信号，该晶体管(M1)的集电极和电阻(R1)一端连接，该电阻(R1)另一端信号输出；该晶体管(M1)的发射极和晶体管(M2)的发射极连接，该晶体管(M2)的集电极和电阻(R2)一端连接，该电阻(R2)另一端信号输出；所述晶体管(M3)的集电极与该晶体管(M1)、晶体管(M2)的发射极连接，该晶体管(M3)的发射极接地；

所述晶体管(M4)基极与晶体管(M1)的集电极连接，该晶体管(M4)的集电极与该晶体管(M5)的集电极连接；该晶体管(M4)的发射极与电阻(R3)一端连接；该电阻(R3)另一端接地；所述晶体管(M5)的基极与该晶体管(M2)集电极连接，该晶体管(M5)的发射极与电容(C1)的一端连接，该电容(C1)的另一端接地；所述电阻(R3)的一端和电容(C1)的一端连接；所述积分电路通过该晶体管(M4)的集电极与该晶体管(M5)的集电极信号输出。

所述晶体管(M4)等效为二极管(Rd)。

所述晶体管(M5)等效为二极管(Rd)。

所述信号输出包括叠加一个纹波信号。