[发明专利]量子点的群、其制造方法、量子点-聚合物复合物和显示装置

说明书

公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0003831的优先权、以及由其产生的所有权益，将其公开内容通过引用全部引入本文中。

技术领域

公开了量子点的群、包括其的组合物或复合物、和包括其的电子装置。

背景技术

具有不同能带隙的量子点(例如，纳米尺寸的半导体纳米晶体)可通过控制其尺寸和组成而获得。量子点可显示出电致发光和光致发光性质。在胶体合成中，有机材料例如分散剂可在半导体纳米晶体的晶体生长期间配位例如结合至半导体纳米晶体的表面，由此提供具有受控的尺寸并且具有发光性质的量子点。从环境的观点来看，开发具有改善的发光性质的不含镉的量子点是合乎需要的。

发明内容

一种实施方式提供可显示出改善的光致发光性质(例如，提升的激发光吸收率)和提升的稳定性的不含镉的量子点的群。

另一实施方式提供制造所述不含镉的量子点的群的方法。

又一实施方式提供包括所述不含镉的量子点的群的组合物。

还一实施方式提供包括所述不含镉的量子点的群的量子点-聚合物复合物。

再一实施方式提供包括所述量子点-聚合物复合物的电子装置。

在一种实施方式中，量子点的群包括多个不含镉的量子点，其中所述多个不含镉的量子点包括包含铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，

其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5纳米，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度(充实度，solidity)大于或等于约0.85。

所述不含镉的量子点可包括在其表面上的有机配体，和所述有机配体可包括羧酸化合物(例如，单羧酸化合物)和伯胺化合物(例如，单胺化合物)。

所述羧酸化合物可具有C5-C30烃基(例如，C5-C30脂族基团)，和所述伯胺化合物的伯胺基团可具有C5-C30烃基(例如，C5-C30脂族基团)。

所述伯胺基团可具有C5-C30烯基。

在实施方式中，所述不含镉的量子点可不包括硼。

所述半导体纳米晶体芯可进一步包括锌。

所述第一半导体纳米晶体壳可直接设置在所述半导体纳米晶体芯的表面上。

所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸可大于或等于约5.8纳米、例如大于或等于约6纳米。

所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差可小于或等于所述平均颗粒尺寸的约18％。

所述多个不含镉的量子点的平均实度可大于或等于约0.90。

所述多个不含镉的量子点的最大光致发光峰可具有小于或等于约40nm的半宽度。