[发明专利]量子点的群、其制造方法、量子点-聚合物复合物和显示装置

权利要求书

1.量子点的群，包括多个不含镉的量子点，其中

所述多个不含镉的量子点包括

包含铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯，

设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳，和

设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，

其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于5.5纳米，

所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的20％，和

所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于0.85。

2.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述多个不含镉的量子点在其表面上包括有机配体，和所述有机配体包括羧酸化合物和伯胺化合物。

3.如权利要求2所述的量子点的群，其中所述羧酸化合物包括C5-C30脂族烃基，和所述伯胺化合物的伯胺基团包括C5-C30脂族烃基。

4.如权利要求3所述的量子点的群，其中所述伯胺基团具有C5-C30烯基。

5.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述多个不含镉的量子点不包括硼。

6.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述第一半导体纳米晶体壳直接设置在所述半导体纳米晶体芯上。

7.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述第一半导体纳米晶体壳不包括硫。

8.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述第一半导体纳米晶体壳具有大于或等于3个单层且小于或等于10个单层的厚度。

9.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述第二半导体纳米晶体壳为所述不含镉的量子点的最外层。

10.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述第二半导体纳米晶体壳直接设置在所述第一半导体纳米晶体壳的表面上。

11.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于5.8纳米，和所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的18％。

12.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于0.90。

13.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述不含镉的量子点的最大光致发光峰具有小于或等于40纳米的半宽度。

14.如权利要求1所述的量子点的群，其中所述多个不含镉的量子点的量子效率大于或等于70％。

15.制造如权利要求1-14任一项所述的量子点的群的方法，其包括：

使含有锌的前体和含有硒的前体在经加热的有机溶剂和有机配体中在包含铟和磷的半导体纳米晶体芯颗粒的存在下在第一反应温度下反应以在所述半导体纳米晶体芯上形成第一半导体纳米晶体壳；和

使含有锌的前体和含有硫的前体在所述有机溶剂和所述有机配体中在具有形成于所述芯上的所述第一半导体纳米晶体壳的颗粒的存在下在第二反应温度下反应以在所述第一半导体纳米晶体壳上形成第二半导体纳米晶体壳，其中所述有机配体包括羧酸化合物和伯胺化合物。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述方法不包括将包括具有在所述芯上的所述第一半导体纳米晶体壳的颗粒的反应混合物的温度降低至低于100℃的温度。

17.量子点-聚合物复合物，包括：

聚合物基体；和

如权利要求1-14任一项所述的量子点的群，其中所述多个不含镉的量子点分散在所述聚合物基体中。