[发明专利]辅助和操作存储器单元的方法以及存储器电路

说明书

本公开提供一种在存取操作中辅助存储器单元的方法、存储器电路以及操作存储器单元的方法。辅助存储器单元的方法包括：设定供应电压为第一供应电压位准，以决定将该第一供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的参考概率值；施加辅助电压至该存储器单元耦接的存取线，并设定该供应电压为第二供应电压位准，以决定该辅助电压与将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的存取失败概率两者间的关系；由该关系决定对应于该参考概率值的该辅助电压的目标辅助电压位准；及提供在该存取操作中施加该目标辅助电压位准至该存取线的辅助电路。在该存取操作中，该第二供应电压位准施加于该存储器单元。该方法使存储器具备良好功率效能。

技术领域

本公开涉及存储器存取，尤其涉及一种在存取操作中辅助存储器单元的方法、具有能够提供目标辅助电压的辅助电路的存储器件，以及操作存储器单元的方法。

背景技术

静态随机存储器(static random access memory，SRAM)装置已在多种应用领域中日渐普及，譬如通信、图像处理与其他系统级芯片(system-on-chip，SOC)应用，此类应用需要高速操作以及低功率消耗。虽然降低供应电压会减少动态功率消耗，却导致SRAM单元变得不稳定。举例来说，低供应电压会减低静态噪声容限(static noise margin，SNM)，这是评估SRAM单元稳定性最常用的参数。当外部噪声大于静态噪声容限时，SRAM单元的状态会改变，且储存的数据会遗失。此外，极度微缩(deeply scaled)的互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)技术的制程变异会进一步SRAM单元稳定性。

发明内容

此处所述的实施方式提供了一种在存取操作中辅助存储器单元的方法、包含具有预定辅助强度的辅助电路的存储器件，以及操作存储器单元的方法。

此处披露的某些实施方式包括一种在一存取操作中辅助一存储器单元的方法。该存取操作是因应供应至该存储器单元的一供应电压而启动。该方法包含以下步骤：设定该供应电压为一第一供应电压位准，以决定一参考概率值，该参考概率值代表该存储器单元的一存取失败概率于该第一供应电压位准施加至该存储器单元时具有的概率值；施加一辅助电压至该存储器单元所耦接的一存取线，并设定该供应电压为一第二供应电压位准，以决定该辅助电压的电压位准与该存储器单元的该存取失败概率于第二供应电压位准施加至该存储器单元时具有的概率值两者之间的一对应关系，该第二供应电压位准不同于该第一供应电压位准；由该对应关系来一目标辅助电压位准，其中该目标辅助电压位准是该存储器单元的该存取失败概率于该第一供应电压位准施加至该存储器单元时具有的概率值所对应的该辅助电压的电压位准；以及提供一辅助电路，其用以在该存取操作中将该辅助电压的电压位准设为该目标辅助电压位准并将该辅助电压施加至该存取线，其中在该存取操作中，该第二供应电压位准是施加于该存储器单元。

此处披露的某些实施方式包括一种存储器电路。所述存储器电路包括一存取线、一存储器单元、一控制电路及一辅助电路。该存储器单元耦接于该存取线，其中当一供应电压设为一第一供应电压位准并施加于该存储器单元时，该存储器单元的一存取失败概率的概率值等于一参考概率值。该控制电路耦接于该存储器单元，该控制电路用以提供该供应电压至该存储器单元，以启动一存取操作，其中在该存取操作中，该供应电压设为一第二供应电压位准、该控制电路用以将该第二供应电压位准施加至该存储器单元，且该第二供应电压位准不同于该第一供应电压位准。该辅助电路耦接于该存取线，其中在该存取操作中，该辅助电路用以将一辅助电压的电压位准的设为一目标辅助电压位准，并将该辅助电压施加至该存取线，使得将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率的概率值等于该参考概率值。