[发明专利]显示面板在审
| 申请号: | 201910005203.2 | 申请日: | 2019-01-03 |
| 公开(公告)号: | CN110010662A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
| 发明(设计)人: | 金南珍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示面板 显示区域 基底 绝缘 裂缝 薄膜晶体管 绝缘图案 外围区域 侧表面 像素 绝缘层 有机发光器件 导电图案 方向交叉 间隙区域 像素间隔 延伸 填充 | ||
提供了一种显示面板。所述显示面板可以包括:绝缘基底,具有显示区域和与显示区域相邻的外围区域;多个绝缘层,位于绝缘基底上;像素,位于显示区域上,像素包括薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的有机发光器件;以及裂缝坝,位于外围区域上,并且与像素间隔开。裂缝坝可以设置为与绝缘基底的侧表面中的在第一方向上延伸的一个侧表面相邻。裂缝坝可以包括:多个绝缘图案,在第一方向上延伸,并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开;以及多个导电图案,设置为填充绝缘图案之间的间隙区域。
本申请要求于2018年1月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0001884号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示面板和一种制造该显示面板的方法,更具体地,涉及一种高可靠性显示面板和一种制造该高可靠性显示面板的方法。
背景技术
显示面板包括设置有像素并用于显示图像的显示区域。如果将电信号施加到像素,则像素响应于所施加的电信号发射构成图像的光。在制造或利用显示面板的工艺期间,显示面板会暴露于各种外部冲击。例如,要施加在显示面板的外部上的冲击会传递到显示区域。结果,显示区域中的一些像素会被损坏,从而导致显示面板的故障。
发明内容
根据发明构思的实施例的方面涉及一种显示面板和制造该显示面板的方法,该显示面板的使用可靠性和工艺可靠性得到改善。另外,根据发明构思的实施例的方面涉及一种具有减小的边框区域的显示面板和制造该显示面板的方法。
根据发明构思的实施例,显示面板可以包括:绝缘基底,具有显示区域和与显示区域相邻的外围区域;多个绝缘层,位于绝缘基底上;像素,位于显示区域上,像素包括薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的有机发光器件;以及裂缝坝,位于外围区域上,并且与像素间隔开,裂缝坝与绝缘基底的侧表面中的在第一方向上延伸的一个侧表面相邻。裂缝坝可以包括:多个绝缘图案,在第一方向上延伸,并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开;以及多个导电图案,填充绝缘图案之间的间隙区域。
在实施例中,导电图案可以在第一方向上延伸,并且可以在第二方向上彼此间隔开。
在实施例中,导电图案中的每个可以被构造为使相邻的绝缘图案彼此连接。
在实施例中,薄膜晶体管可以包括:半导体图案;控制电极,当在平面图中观看时与半导体图案间隔开,并且与半导体图案叠置;输入电极,与控制电极间隔开,并且结合到半导体图案的一部分;以及输出电极,与控制电极间隔开,并且结合到半导体图案的相对部分。导电图案可以包括与控制电极、输入电极和输出电极中的至少一个的材料相同的材料。
在实施例中,绝缘层可以包括:第一绝缘层,位于半导体图案与控制电极之间;以及第二绝缘层,位于控制电极与输入电极之间。绝缘图案可以与第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个位于同一层上。
在实施例中,绝缘图案中的每个可以具有双层结构。
在实施例中,显示面板还可以包括位于薄膜晶体管与绝缘基底之间的基体层。基体层可以包括阻挡层和缓冲层中的至少一个,并且绝缘图案可以与基体层位于同一层上。
在实施例中,绝缘图案可以在第二方向上与基体层间隔开。
在实施例中,导电图案中的一个导电图案可以设置为使绝缘图案中的一个绝缘图案连接到基体层。
在实施例中,绝缘图案可以连接到基体层的至少一部分。
在实施例中,绝缘图案可以包括:多个第一绝缘图案,在第二方向上彼此间隔开;以及多个第二绝缘图案,在第二方向上彼此间隔开,并且与第一绝缘图案位于不同的层上。
在实施例中,显示面板还可以包括位于显示区域上并被构造为覆盖像素的封装层。封装层可以延伸以覆盖裂缝坝,并且与绝缘图案和导电图案接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





