[发明专利]基于功能化聚噻吩类的人工突触器件及制备方法和应用有效
申请号: | 201910004480.1 | 申请日: | 2019-01-03 |
公开(公告)号: | CN109755385B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 彭晖;张宇;蒋纯莉;罗春花;林和春;田博博;段纯刚 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 功能 噻吩 人工 突触 器件 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于丙烯酸功能化的聚噻吩类导电聚合物的人工突触器件的制备方法,其特征在于,该方法包括以下具体步骤:
步骤1:对下电极进行清洗
将下电极放入去离子水中超声1~3分钟,然后放入丙酮溶液中超声1~3分钟,再放入异丙醇中超声1~3分钟,最后将下电极放入真空干燥箱中干燥;
步骤2:制备电聚合溶液
将丙烯酸功能化噻吩单体与高氯酸锂溶于乙腈或二氯甲烷中;其中,高氯酸锂的浓度为0.05~1mol/L,功能化噻吩单体浓度为0.001~0.1mol/L;
步骤3:导电聚合物薄膜的生长
取步骤2制得的溶液放入烧杯中,采用三电极体系,下电极作为工作电极,AgCl/Ag参比电极、Pt丝作为对电极,采用循环伏安法,扫描电位范围为-0.05V到1.6V,进行丙烯酸功能化的聚噻吩类导电聚合物薄膜的生长;
步骤4:制备人工突触器件
在步骤3所制得的导电聚合物薄膜上热蒸镀一层导体作为上电极,制得所述的人工突触器件;其中:
丙烯酸功能化的聚噻吩具有如下的分子结构:
其中R=H;
或m为0~6;n为100~100000;
所述上、下电极为导体;
所述导电聚合物薄膜的厚度为1纳米至100微米。
2.根据权利要求1所述的人工突触器件的制备方法,其特征在于,所述导体为金、银、铜、铝或铟锡氧化物。
3.一种权利要求1所述方法制得的人工突触器件。
4.根据权利要求3所述的人工突触器件,其特征在于,该人工突触器件为:在下电极上电聚合一层丙烯酸功能化的聚噻吩类导电聚合物薄膜作为功能层,再在功能层上热蒸镀一层导体作为上电极,形成三明治结构的两端人工突触器件。
5.一种权利要求3所述的人工突触器件在人工智能硬件和人工神经网络硬件上的应用。
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