[发明专利]用于电连接电子组件的接触表面的方法

权利要求书

1.一种用于电连接第一电子组件的接触表面与第二电子组件的接触表面的方法，其包含以下连续步骤：

(1)将具有平均直径在8至80μm范围内的圆状截面的导线焊针楔型接合到所述第一电子组件的接触表面，

(2)抬升所述焊针楔型接合导线以在步骤(1)中所形成的焊针楔型接合与所述第二电子组件的接触表面之间形成导线环，及

(3)将所述导线针脚式接合到所述第二电子组件的接触表面，

其中用具有在0至4度范围内的较低面角的陶瓷焊针进行步骤(1)的所述焊针楔型接合，

其中所述导线包含具有表面的线芯，所述线芯具有叠置于其表面上的双层被覆层，

其中所述线芯本身由选自由以下组成的群组的材料组成：纯银、银含量99.5wt％的经掺杂银及银含量为至少89wt％的银合金，及

其中所述双层被覆层包含1至50nm厚的镍或钯内层及邻接的5至200nm厚的金外层。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中用KNS-iConn接合机进行步骤(1)，并且其中所述焊针楔型接合工艺参数包括(a')至(g')中的至少一个：

(a')超声波能在50至100mA范围内，

(b')力在10至30g范围内，

(c')恒定速度在0.3至0.7μm/s范围内，

(d')接触阈值在60至70％范围内，

(e')接合温度在25℃至175℃范围内，

(f')尾长延伸在200至500μm范围内，

(g')超声波斜变在0至50％范围内，

或

其中用新川接合机进行步骤(1)，并且其中所述焊针楔型接合工艺参数包括(a”)至(h”)中的至少一个：

(a”)超声波能在50至100mA范围内，

(b”)力在10至30g范围内，

(c”)恒定速度在0.3至0.7μm/s范围内，

(d”)接触阈值在60至70％范围内，

(e”)接合温度在25℃至175℃范围内，

(f”)切尾长度在85至110μm范围内，

(g”)沉降量在-6至-12μm范围内，

(h”)超声波斜度在0至50％范围内。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述线芯由纯银组成，所述纯银由99.95至100wt％银及至多500wt.-ppm除银以外的其它组分组成。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述线芯由经掺杂银组成，所述经掺杂银由99.5至99.997wt％银、30至5000wt.-ppm至少一种掺杂元素以及至多500wt.-ppm除银及所述至少一种掺杂元素以外的其它组分组成。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述线芯由银合金组成，所述银合金由89至99.50wt％银、0.50至11wt％至少一种合金元素、至多5000wt.-ppm至少一种掺杂元素及至多500wt.-ppm除银、所述至少一种合金元素及所述至少一种掺杂元素以外的其它组分组成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一种合金元素选自由以下组成的群组：钯、金、镍、铂、铜、铑及钌。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一种掺杂元素选自由以下组成的群组：钙、镍、铂、铜、铑及钌。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述第一电子组件为具有接触表面的衬底或具有呈接合垫形式的接触表面的半导体，并且所述第二电子组件为具有接触表面的衬底或具有呈接合垫形式的接触表面的半导体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一电子组件为具有呈接合垫形式的接触表面的半导体，并且所述第二电子组件为具有接触表面的衬底。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一电子组件为具有接触表面的衬底，并且所述第二电子组件为具有呈接合垫形式的接触表面的半导体。