[发明专利]整流装置及具有该整流装置的车辆用交流发电装置

说明书

本发明提供一种能够抑制成本、整流损耗和漏电流增加的整流装置以及车辆用交流发电装置。在整流装置(1)中，对于所有n组，正极侧半导体元件(2)和负极侧半导体元件(3)中的一个是MOSFET，对于n组中的至少一个，正极侧半导体元件(2)和负极侧半导体元件(3)中的另一个是特定二极管，并且特定二极管是肖特基势垒二极管、或漏极端子和栅极端子短路的MOSFET即MOS二极管。

技术领域

本申请涉及一种整流装置、以及具有该整流装置的车辆用交流发电装置。

背景技术

在专利文献1的技术中，为了通过降低整流装置的整流损耗来提高车辆用交流发电装置的发电效率，在正极侧半导体元件和负极侧半导体元件双方使用肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管能够比PN结的二极管更多地降低正向电压降。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际专利公开第1999/36966号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，存在以下问题：若在正极侧和负极侧双方使用肖特基势垒二极管，与PN结的二极管相比，尤其在高温下的漏电流变大。当漏电流变大时，元件的发热变大，因此，当在正极侧和负极侧双方都使用肖特基势垒二极管时，需要慎重地进行冷却机构等的热设计，以防止发生热失控。

此外，在肖特基势垒二极管的元件设计中，正向电压降的降低与漏电流的增加存在权衡关系。因此，为了进一步降低整流损耗，在肖特基势垒二极管中也想要采用正向电压降较低的肖特基势垒二极管，但由于漏电流增加，因此无法容易地采用。

与肖特基势垒二极管相比，MOSFET能降低电压降并且漏电流较小，但是其价格昂贵，因此，在将MOSFET用于正极侧和负极侧双方时，存在成本增加的问题。

因此，期望一种能够抑制成本、整流损耗和漏电流增加的整流装置和车辆用交流发电装置。

解决技术问题所采用的技术方案

本申请所涉及的整流装置中，

设置有n组串联电路(n是2以上的自然数)，该串联电路中连接到正极侧输出端子的正极侧半导体元件和连接到负极侧输出端子的负极侧半导体元件串联连接，并且串联连接的连接点连接到对应的交流电源，

所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件至少具有用于使电流从负极侧流到正极侧的整流功能，

对于所有所述n组，所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件中的一个是MOSFET，

对于所述n组中的至少一组，所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件中的另一个是特定二极管，

所述特定二极管是肖特基势垒二极管、或漏极端子和栅极端子短路的MOSFET即MOS二极管。

本申请所涉及的车辆用交流发电装置包括所述整流装置和作为所述交流电源的所述n相绕组。

发明效果

根据本申请所涉及的整流装置和车辆用交流发电装置，由于对于n组中的至少一组将特定二极管用于正极侧和负极侧中的另一个，因此与将MOSFET用于正极侧和负极侧双方的情况相比，能降低成本。此外，由于将MOSFET用于正极侧和负极侧中的一个，因此与将肖特基势垒二极管用于正极侧和负极侧双方的情况相比，能降低整流损耗。此外，通过在正极侧和负极侧中的一方所设置的MOSFET，能对漏电流进行节流，即使使用肖特基势垒二极管，也能抑制流过串联电路的漏电流的增加。另外，由于MOS二极管的漏电流较小，因此能抑制漏电流的增加。因此，能抑制成本、整流损耗和漏电流的增加。

附图说明

图1是实施方式1的整流装置和车辆用发电装置的电路图。

图2是用于说明实施方式1所涉及的相电压波形的时序图。

图3是说明实施方式1所涉及的整流损耗的降低的图。