[发明专利]整流装置及具有该整流装置的车辆用交流发电装置

权利要求书

1.一种整流装置，其特征在于，

设置有n组串联电路(n是2以上的自然数)，该串联电路中连接到正极侧输出端子的正极侧半导体元件和连接到负极侧输出端子的负极侧半导体元件串联连接，并且串联连接的连接点连接到对应的交流电源，

所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件至少具有用于使电流从负极侧流到正极侧的整流功能，

对于所有所述n组，所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件中的一个是MOSFET，

对于所述n组中的至少一组，所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件中的另一个是特定二极管，

所述特定二极管是肖特基势垒二极管、或者漏极端子和栅极端子短路的MOSFET即MOS二极管。

2.如权利要求1所述的整流装置，其特征在于，

对于所有所述n组，所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件中的另一个是所述特定二极管。

3.如权利要求1或2所述的整流装置，其特征在于，

还包括用于对所述MOSFET进行导通截止驱动的控制电路，

当所述MOSFET的源极端子的电压超过所述MOSFET的漏极端子的电压时，所述控制电路使所述MOSFET导通。

4.如权利要求1至3中任一项所述的整流装置，其特征在于，

所述肖特基势垒二极管的击穿电压低于所述MOSFET的钳位电压。

5.如权利要求1至4中任一项所述的整流装置，其特征在于，

在25℃、100A通电的条件下，所述肖特基势垒二极管的从负极侧到正极侧的正向电压降是在0.3V至0.65V的范围内的电压。

6.如权利要求1至5中任一项所述的整流装置，其特征在于，

所述特定二极管配置在比所述MOSFET更靠冷却风的下游侧的位置。

7.如权利要求6所述的整流装置，其特征在于，

所述肖特基势垒二极管具有从负极侧到正极侧的电压降随着温度升高而减小的特性。

8.如权利要求6或7所述的整流装置，其特征在于，

所有所述正极侧半导体元件配置在同一平面上，并且所有所述负极侧半导体元件配置在同一平面上，

配置有所有所述正极侧半导体元件的平面和配置有所有所述负极侧半导体元件的平面在所述冷却风的流动方向上错开。

9.如权利要求6至8中任一项所述的整流装置，其特征在于，

还包括:固定有所有所述正极侧半导体元件的正极侧散热器；以及固定有所有所述负极侧半导体元件的负极侧散热器，

所述正极侧散热器和所述负极侧散热器中的任意一个固定有所述特定二极管的散热器配置在比未固定有所述特定二极管的散热器更靠所述冷却风的下游侧的位置。

10.如权利要求9所述的整流装置，其特征在于，

还包括电路板，该电路板连接所述正极侧半导体元件、所述负极侧半导体元件、所述交流电源、所述正极侧输出端子以及所述负极侧输出端子，

所述电路板夹在所述冷却风的流动方向上的所述正极侧散热器和所述负极侧散热器之间。

11.如权利要求9或10所述的整流装置，其特征在于，

所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件的封装具有圆柱状或长方体状，并且嵌入到形成在所述正极侧散热器和所述负极侧散热器上的圆柱状或长方体状的贯通孔中。

12.如权利要求1至11中任一项所述的整流装置，其特征在于，

用于所述MOSFET和所述特定二极管的焊料是无铅焊料。

13.一种车辆用交流发电装置，其特征在于，包括：

如权利要求1至12中任一项所述的整流装置、以及作为所述交流电源的n相绕组。

14.如权利要求13所述的车辆用交流发电装置，其特征在于，

固定所述正极侧半导体元件和所述负极侧半导体元件的散热器的外径小于容纳所述n相绕组的壳体的外周壁的内径。