[发明专利]光模块以及光发送器

说明书

光模块构成为具有半导体光调制元件(9)和板状的金属管座(1)，该半导体光调制元件(9)安装于在金属管座(1)的一面侧配备的电介体基板(8)，金属管座具有金属管座贯通部(30)，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚(2)与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部(30)在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件(3)，从金属管座(1)的另一面侧经由金属管座贯通部(30)而向并联地连接有终端匹配电路(200)的半导体光调制元件(9)供给用于调制的信号，终端匹配电路(200)由第二电阻(24)和电容(25)的并联体与第一电阻(23)的串联连接体构成。

技术领域

本申请涉及搭载有半导体光调制元件的光模块。

背景技术

在中继站与用户之间的光通信系统即接入系统中，当前大多使用适用于低速调制的直接调制型半导体激光发送器(DML：Directly Modulated Laser)，但在进行10Gb/s或者更高的高速通信的情况下，集成有适用于高速调制的电场吸收型半导体光调制器(EAM：Electro-absorption Modulator)和分布反馈型半导体激光器(DFB-LD：DistributedFeedback Laser Diode)的半导体光集成元件即EAM-LD(Electro-absorption Modulatorintegrated Laser Diode)是适用的。

通过将以对光进行调制的频率反复通断的信号施加至EAM，从而能够对通过EAM的光(激光)进行调制。在高速通信中，施加通过DC电压而偏移后的高频信号。高频信号是大于或等于10GHz的高频，因此供电线使用同轴线路等考虑了高频特性的线路。

作为对用于调制的高频进行传输的结构，存在同轴型的半导体光调制装置(例如专利文献1、专利文献2)，该同轴型的半导体光调制装置构成为具有半导体光调制元件和板状的金属管座，该半导体光调制元件安装于在金属管座的一面侧配备的电介体基板，金属管座具有金属管座贯通部，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件，从金属管座的另一面侧经由金属管座贯通部而向并联连接有终端匹配电路的半导体光调制元件供给用于调制的高频。

专利文献1：国际公开第2010/140473号

专利文献2：日本特开2011-197360号公报

发明内容

在半导体光调制元件为EAM-LD的情况下，由于寄生电容、寄生电阻、键合导线的电感等的影响，随着频率变高，阻抗匹配变得难以进行。另外，金属管座的引线管脚贯通部由于玻璃直径和引线管脚直径的制约，线路阻抗为20Ω～30Ω左右，作为匹配电阻来说而无法与通常的50Ω进行匹配。在同轴型的情况下，该2个部位成为反射点，在由EAM反射后进一步由贯通金属管座的部分反射而再次返回EAM时，如果电信号的相位旋转180度，则抵消了增益，引起频带劣化。

本申请公开了用于解决上述问题的技术，其目的在于在具有半导体光调制元件的光模块中，直至高的频率为止抑制由多重反射引起的频带劣化而供给调制用高频信号。

本申请所公开的光模块构成为，具有：板状的金属管座；以及半导体光调制元件，其安装于在金属管座的一面侧配备的电介体基板，金属管座具有金属管座贯通部，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件，从金属管座的另一面侧经由金属管座贯通部而向并联地连接有终端匹配电路的半导体光调制元件供给用于调制的信号，终端匹配电路由第二电阻和电容的并联体与第一电阻的串联连接体构成。

发明的效果

根据本申请所公开的光模块，具有能够提供以下光模块的效果，该光模块能够直至高的频率为止抑制由多重反射引起的频带劣化而供给调制用高频信号。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的光模块的结构的斜视图。