[发明专利]处理液吐出配管以及基板处理装置在审
申请号: | 201880086735.7 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN111630634A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 竹松佑介;温井宏树;岩川裕;东克荣;菅原雄二 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C08L83/04;C08L83/10;C08L101/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 吐出 以及 装置 | ||
1.一种处理液吐出配管,安装于对基板表面吐出处理液的处理装置,包括:
流路,供所述处理液流通;以及
吐出口,对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液,且
所述流路包括:
壁面的至少一部分为亲水性的亲水性流路,
在安装于所述处理装置的状态下,
所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜,且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
2.根据权利要求1所述的处理液吐出配管,其中
所述流路包括壁面为疏水性的流路。
3.根据权利要求1或2所述的处理液吐出配管,其中
所述流路包括:
位于所述亲水性流路的下游侧,且壁面为疏水性的第一流路,且
在安装于所述处理装置的状态下,所述第一流路沿着铅垂方向延伸。
4.根据权利要求3所述的处理液吐出配管,其中
所述吐出口位于所述第一流路的下游侧端部。
5.根据权利要求3或4所述的处理液吐出配管,其中
所述亲水性流路与所述第一流路邻接。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理液吐出配管,其中
所述流路包括:
位于所述亲水性流路的上游的第二流路,且
在安装于所述处理装置的状态下,所述第二流路沿着水平方向延伸。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理液吐出配管,其中
所述亲水性流路包含树脂,且通过浸渍于药液中,而使壁面的至少一部分变成亲水性。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理液吐出配管,其中
亲水性的所述亲水性流路的壁面比其他流路的壁面粗糙。
9.一种处理液吐出配管,安装于对基板表面吐出处理液的处理装置,且包括:流路,供所述处理液流通;以及吐出口,对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液,且所述处理液吐出配管包含树脂,
所述流路包括:
亲水性流路,在使水接触壁面的至少一部分的状态下浸渍于药液中,使所述壁面的至少一部分成为亲水性,
在安装于所述处理装置的状态下,
所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜,且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
10.根据权利要求9所述的处理液吐出配管,其中
所述亲水性流路在所述流路中充满水的状态下浸渍于药液中,从而成为亲水性。
11.一种基板处理装置,包括如权利要求1至10中任一项所述的处理液吐出配管,且所述基板处理装置包括:
腔室;
基板保持部,在所述腔室的内部对基板进行水平地保持;
处理液供给部,经由所述处理液吐出配管而对所述基板保持部所保持的基板的上表面供给处理液;以及
引回机构,将所述处理液吐出配管的所述流路内的处理液朝上游侧引回。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造