[发明专利]中空二氧化硅颗粒的制造方法有效
| 申请号: | 201880083744.0 | 申请日: | 2018-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN111566047B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 神谷广幸;金贤枝;松原俊哉 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社;AGC硅素技术株式会社 |
| 主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;C01B33/187 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 中空 二氧化硅 颗粒 制造 方法 | ||
1.一种中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下,并在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料,
在碱金属离子存在下,在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料,得到中空二氧化硅前体分散液,
由所述中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体,然后由所述中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒,所述中空二氧化硅前体为油核-二氧化硅壳颗粒,
由所述中空二氧化硅前体分散液得到所述中空二氧化硅前体的方法选自过滤分散液的方法、加热去除水相的方法、或通过沉淀分离或离心分离来分离前体的方法,
从所述中空二氧化硅前体去除油核而得到所述中空二氧化硅颗粒的方法选自对中空二氧化硅前体进行烧成从而将油燃烧分解的方法、通过干燥使油挥发的方法、添加适当的添加剂使油分解的方法、或提取油的方法;
所述第1二氧化硅原料及第2二氧化硅原料分别独立地为溶解有水溶性二氧化硅的水溶液、分散有固体二氧化硅的水性分散液、它们的混合物、或者选自由碱金属硅酸盐及活性硅酸组成的组中的1种以上或它们的水溶液或水分散液,所述水相中的水的比例为90~100%,
所述表面活性剂为聚氧乙烯-聚氧丙烯共聚物。
2.根据权利要求1所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,所述第1二氧化硅原料及第2二氧化硅原料分别独立地包含选自由碱金属硅酸盐、活性硅酸组成的组中的1种以上。
3.根据权利要求2所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,所述碱金属硅酸盐为硅酸钠。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,作为所述第1二氧化硅原料,使用碱金属硅酸盐水溶液。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,作为所述第2二氧化硅原料,使用碱金属硅酸盐水溶液及活性硅酸水溶液中的至少一种。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,将所述第2二氧化硅原料添加至被加热的所述乳液中。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,在所述第1二氧化硅原料添加后的所述乳液中添加碱,之后添加第2二氧化硅原料。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,对所述中空二氧化硅前体进行烧成,得到所述中空二氧化硅颗粒。
9.根据权利要求8所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,所述烧成的温度为300℃~800℃。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的中空二氧化硅颗粒的制造方法,其中,得到的中空二氧化硅颗粒的平均一次粒径为10nm~10μm,BET比表面积为300m2/g以下。
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