[发明专利]引入含硅颗粒的制备方法有效

专利信息
申请号: 201880083141.0 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN111566855B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 让-弗朗索瓦·佩兰;约翰·乌达尔 申请(专利权)人: 纳诺麦克斯公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01L31/18;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;C04B35/622
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 王春伟;刘继富
地址: 法国朗*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 引入 颗粒 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制备方法,其中将含硅的亚微米颗粒引入基质中,

其特征在于,在引入颗粒期间:

-所述颗粒处于压实状态,其堆积密度大于0.10克/立方厘米,并且

-压实颗粒的比表面积至少为在彼此之间不接触的情况下单独考虑的颗粒的比表面积的70%。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在引入所述颗粒期间,压实颗粒彼此之间不具有共价键。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,将预先引入所述基质中的所述颗粒分散在导电或半导电的载体上,并且将所述颗粒固定至所述载体。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,由其上沉积有含所述颗粒的层的载体制备电极。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,制备包括所述电极的电池。

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,由其上分散有所述颗粒的载体制备光伏板。

7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,通过从处于非压实状态的所述颗粒开始进行压实的步骤来获得压实颗粒,使得在所述压实步骤期间所述颗粒不经受高于400℃的温度。

8.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述颗粒没有添加剂的情况下将所述压实颗粒引入所述基质中。

9.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述颗粒包含未经氧化的硅的芯。

10.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述基质包含碳。

11.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述基质是金属基质和/或陶瓷基质。

12.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述基质是液体基质和/或固体基质。

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