[发明专利]用于确定与表膜相关的状态的设备和方法

说明书

一种用于确定与用于光刻设备(LA)中的表膜(19)相关的状态的设备，该设备包括传感器(26、32、52、60)，其中，该传感器(26、32、52、60)被配置为测量与该表膜(19)相关的属性，该属性指示表膜状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年12月12日提交的US申请62/597,913、2018年1月22日提交的US申请62/620,426和2018年8月13日提交的US申请62/718,211的优先权，这些US申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本说明书涉及用于确定与表膜相关的状态的设备和方法。表膜可以适合与用于光刻设备的图案形成装置一起使用。本说明书具有与EUV光刻设备和/或EUV工具的特定的但非排他的相关性。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。光刻设备可以例如将来自图案形成装置(例如掩模)的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

由光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射的波长确定可以形成在该衬底上的特征的最小尺寸。与常规光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)相比，使用具有在4至20nm范围内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

在光刻术中使用表膜是公知且公认的。DUV光刻设备中的典型表膜是远离图案形成装置而定位并且在使用时处于光刻设备的焦平面外的膜。因为表膜在光刻设备的焦平面外，所以落在表膜上的污染粒子在光刻设备的焦点外。因此，污染粒子的图像不投影到衬底上。如果表膜不存在，则落在图案形成装置上的污染粒子将投影到衬底上并且将缺陷引入所投影的图案中。

可能期望在EUV光刻设备中使用表膜。EUV光刻与DUV光刻的不同之处在于其通常在真空中执行并且图案形成装置通常是反射型的而不是透射型的。

发明内容

期望提供用于确定与表膜相关的状态的设备和方法，其解决或缓解与本技术领域相关的一个或更多个问题。本文中描述的示例可以用于EUV光刻设备中。本文中描述的示例也可以用于DUV光刻设备和/或其他形式的光刻工具中。本文中描述的示例也可以用于其他工具中，该其他工具使用EUV或DUV和/或与光刻过程相关(例如，检测工具，诸如图案形成装置检测工具)。

根据一方面，提供一种用于确定与用于光刻设备中的表膜相关的状态的设备，所述设备包括传感器，其中，所述传感器被配置为测量与表膜相关的属性，该属性指示表膜状态。

这样可以具有如下优点：提供表膜失效信息，增加衬底生产量并且避免损坏衬底。

与表膜相关的属性可以是该表膜的温度或温度曲线和/或者可以是该表膜上的粒子的温度或温度曲线。

这样可以具有在对表膜造成损坏之前检测热斑(粒子驱动或者以其他方式)的优点。这样可以具有能够放宽关于以下各项的要求的优点：功率/吸收相关的表膜寿命不确定性、光刻设备中及表膜测试架中的绝对功率测量，和/或匹配离线表膜测试与光刻状态。

该传感器可以被配置为测量与表膜相关的红外辐射(IR)。该传感器可以被配置为测量与表膜相关的IR发射光谱。

该传感器可以被配置为测量2至8μm的波长频带中的IR发射的强度。该波长频带可以从以下各项中的一项或更多项中选择：2至7μm、2至6μm、2至5μm、2至4μm、2至3μm、3至5μm、4至5μm、3至6μm、4至6μm和/或5至6μm。

该传感器可以被配置为测量IR发射差。差分IR发射测量可以用于确定2至3μm频带中的强度对6至8μm频带中的强度的比率。