[发明专利]用于确定与表膜相关的状态的设备和方法

权利要求书

1.一种用于确定与用于光刻设备中的表膜相关的状态的设备，所述设备包括传感器，其中，所述传感器被配置为测量与表膜相关的属性，所述属性指示表膜状态。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，与所述表膜相关的属性是所述表膜的温度或温度曲线和/或所述表膜上的粒子的温度或温度曲线。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述传感器被配置为测量与所述表膜相关的红外辐射(IR)。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述传感器被配置为测量红外辐射发射差。

5.根据权利要求1所述的设备，所述设备被配置为使得在预限定的表膜区域上利用辐射来照射所述表膜，并且所述传感器被配置为测量从所述表膜反射的所述辐射。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述传感器与表膜组件的表膜框架相关联。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述传感器被配置为将除了来自检查平面的信号之外的信号滤除，其中，所述检查平面对应于所述表膜的位置。

8.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括辐射源，所述辐射源被配置为利用具有大致不透射穿过所述表膜的波长的辐射来照射所述表膜，并且其中，所述传感器被配置为测量与所述表膜相关的所述辐射。

9.根据权利要求35所述的设备，其中，所述辐射穿过所述表膜的透射率小于或等于10％、1％或0.1％。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的设备，其中，所述表膜是多晶表膜，并且所述辐射的波长在以下范围内：180nm至380nm、356nm至365nm、356nm至370nm、356nm至375nm、361nm至365nm、361nm至370nm、361nm至375nm、或364nm至366nm。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的设备，所述设备被配置为使得所述辐射在入射到所述表膜上时被准直或发散。

12.根据权利要求11所述的设备，所述设备被配置为一次在所述表膜的宽度的一部分、整个宽度或整个区域上照射所述表膜。

13.根据权利要求11或权利要求12所述的设备，所述设备还包括多个辐射源。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的设备，其中，所述表膜由硅或MoSi制成。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的设备，其中，所述传感器包括所述辐射源和/或图案形成装置背侧检测工具。

16.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述传感器被配置为在所述表膜处于所述光刻设备中的辐射束曝光位置时测量与表膜相关的属性。

17.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，与所述表膜相关的状态从以下各项中的一项或更多项选择：表膜的寿命、表膜的完整性、表膜中的缺陷、表膜的局部透射率变化、位于表膜上的粒子、表膜上的斑点、表膜的变形、表膜即将发生的破裂、表膜的破裂和/或表膜的存在。