[发明专利]存取自选择存储器装置的技术

说明书

本申请涉及存取自选择存储器装置的技术。描述与存取自选择存储器装置的技术有关的方法、系统及装置。自选择存储器单元可存储通过所述自选择存储器单元的不同阈值电压表示的一或多个数据位。可改变编程脉冲以通过修改于其期间跨所述自选择存储器单元维持固定电压或电流电平的一或多个持续时间而建立所述不同阈值电压。所述自选择存储器单元可包含硫属化物合金。所述硫属化物合金中的元素的非均匀分布可确定所述自选择存储器单元的特定阈值电压。所述编程脉冲的形状可经配置以基于所述自选择存储器单元的所要逻辑状态修改所述硫属化物合金中的所述元素的分布。

交叉参考

本专利申请案主张由托里拆利(Tortorelli)等人于2018年11月29日申请的标题为“存取自选择存储器装置的技术(Techniques to Access A Self-Selecting MemoryDevice)”的第PCT/US2018/063116号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张2017年12月14日申请的标题为“存取自选择存储器装置的技术(Techniques to Access A Self-Selecting Memory Device)”的第15/842,504号美国专利申请案的优先权，所述案中的每一者让渡给其受让人且其中每一者的全文以引用的方式明确并入本文中。

技术领域涉及存取自选择存储器装置的技术。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器阵列且更明确来说涉及存取自选择存储器装置的技术。

存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物)中的信息。信息是通过编程存储器装置的不同状态而予以存储。例如，二进制装置具有通常通过逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元甚至可在不存在外部电源的情况下长时间维持其存储的逻辑状态。易失性存储器单元会随时间丢失其存储的状态，除非其通过外部电源周期性刷新。

改进存储器装置通常可包含提高存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保持、降低电力消耗或降低制造成本等等。可期望在存储器单元中存储一或多个信息位以提高逻辑存储器单元密度且不提高物理存储器单元密度以降低每位的成本。

发明内容

描述一种第一方法。所述第一方法可包含：确定自选择存储器单元的所要逻辑状态，所述所要逻辑状态表示一或多个数据位；确定对应于所述自选择存储器单元的所述所要逻辑状态的所述自选择存储器单元的阈值电压；确定具有单个极性的编程脉冲的形状以便获得所述自选择存储器单元的所述阈值电压；及基于确定所述编程脉冲的所述形状而将所述编程脉冲施加到所述自选择存储器单元。

描述一种第二方法。所述第二方法可包含：确定包含硫属化物合金的自选择存储器单元的所要阈值电压，所述所要阈值电压对应于所述自选择存储器单元的表示一或多个数据位的逻辑状态；确定产生流动通过所述自选择存储器单元的电流的具有单个极性的编程脉冲的形状以便获得所述自选择存储器单元的所述所要阈值电压；及通过基于确定所述编程脉冲的所述形状将所述编程脉冲施加到所述自选择存储器单元而变更沿着所述电流的方向的所述硫属化物合金的至少一部分的空间分布，其中所述自选择存储器单元的所述所要阈值电压是至少部分基于所述硫属化物合金的所述至少一部分的所述空间分布。