[发明专利]有机EL显示装置及有机EL显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，其特征在于，具备：

基板，其具有形成包含薄膜晶体管的驱动电路的表面；

平坦化膜，其通过覆盖所述驱动电路使所述基板的所述表面平坦化；以及

有机发光元件，其形成于所述平坦化膜的表面上，并与所述驱动电路电连接，

所述平坦化膜包含层叠于所述驱动电路上的第一无机绝缘膜、层叠于所述第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜以及层叠于所述有机绝缘膜上的第二无机绝缘膜，

所述第二无机绝缘膜的朝向与所述有机绝缘膜的相反方向的表面具有50nm以下的算术平均粗糙度。

2.如权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述第二无机绝缘膜的所述表面具有20nm以上50nm以下的算术平均粗糙度。

3.如权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述有机绝缘膜为不包含感光体的丙烯酸树脂，或不包含感光体的聚酰亚胺树脂。

4.如权利要求1～3任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述有机绝缘膜的朝向所述第二无机绝缘膜的表面具有100nm以上300nm以下的算术平均粗糙度。

5.如权利要求4所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述有机绝缘膜包含有含有比率为0.5质量％以上，5质量％以下的添加剂，所述添加剂使所述有机绝缘膜的所述表面的平坦性提高。

6.如权利要求1～5任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述驱动电路和所述有机发光元件经由金属连接，所述金属被埋入同时贯穿所述第一无机绝缘膜、所述有机绝缘膜及所述第二无机绝缘膜的接触孔。

7.如权利要求1～6任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述第二无机绝缘膜的厚度基于所述有机绝缘膜的朝向所述第二无机绝缘膜的表面的凹凸变动，且为所述有机绝缘膜的所述表面的整个表面上的所述凹凸的最大高低差的一倍以上三倍以下。

8.一种有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，具备：

在基板上形成包含薄膜晶体管的驱动电路的工序、

在所述驱动电路的表面上形成第一无机绝缘膜、有机绝缘膜及第二无机绝缘膜的工序、

将所述第二无机绝缘膜的表面研磨的工序、

在所述第二无机绝缘膜、所述有机绝缘膜及所述第一无机绝缘膜上形成到达所述驱动电路的接触孔的工序、

将金属埋入所述接触孔的内部并在规定区域形成第一电极的工序、

在所述第一电极上形成有机发光层的工序、

在所述有机发光层上形成第二电极的工序。

9.如权利要求8所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，在所述第二无机绝缘膜的所述表面的研磨中，通过CMP研磨将所述第二无机绝缘膜的所述表面研磨至50nm以下的算术平均粗糙度，所述CMP研磨将包含铈、胶体二氧化硅或气相法二氧化硅的中性的料浆作为研磨剂使用。

10.如权利要求9所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，在所述第二无机绝缘膜的所述表面的研磨中，将所述第二无机绝缘膜的所述表面研磨至20nm以上50nm以下的算术平均粗糙度。

11.如权利要求9或10所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，在所述第二无机绝缘膜的所述表面的研磨中，将中性的醇液与所述研磨剂一起使用来研磨所述第二无机绝缘膜的所述表面。

12.如权利要求8～11任一项所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二无机绝缘膜的形成中，以所述有机绝缘膜的朝向所述第二无机绝缘膜的表面的凹凸的最大高低差的两倍以上的厚度来形成所述第二无机绝缘膜，

在所述第二无机绝缘膜的所述表面的研磨中，研磨所述第二无机绝缘膜，以使得由所述研磨导致的所述第二无机绝缘膜的厚度的减少量至少部分地为所述最大高低差的一倍以上且小于所述最大高低差的两倍。