[发明专利]陶瓷基板、层状体和SAW器件

说明书

一种陶瓷基板，由多晶陶瓷形成，并且具有支撑主表面。在所述支撑主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值为至少15μm且小于40μm，并且晶粒尺寸的标准偏差小于所述1.5倍平均值。

技术领域

本公开涉及一种陶瓷基板、层状体和SAW器件。

本申请要求享有基于在2017年10月12日提交的日本专利申请第2017-198780号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

SAW器件(声表面波器件)被安装在如移动电话的通信设备中，以便除去电信号中包含的噪音。SAW器件具有在压电基片上形成电极的结构。为了在运行过程中散热，将压电基片设置在由具有良好散热性能的材料形成的基底基板上。

例如，由单晶蓝宝石形成的基板可以用作基底基板。然而，如果将这种由单晶蓝宝石形成的基板用作基底基板，则SAW器件的生产成本增加。为解决这个问题，已经提出了一种具有如下结构的SAW器件，即，其中将由多晶尖晶石形成的陶瓷基板用作基底基板，并且压电基片和陶瓷基板通过范德华力彼此结合(例如，参照专利文献1)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2011-66818号

发明内容

根据本公开的陶瓷基板是由多晶陶瓷形成并且具有支撑主表面的陶瓷基板。在所述支撑主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值为15μm以上且小于40μm，并且所述晶粒尺寸的标准偏差小于1.5倍平均值。

附图说明

图1为示出包括陶瓷基板和压电基片的层状体的结构的示意性剖面图。

图2为示出陶瓷基板的支撑主表面的示意性平面图。

图3为示意性地示出用于制造陶瓷基板、层状体和SAW器件的方法的流程图。

图4为用于描述制造层状体和SAW器件的方法的示意性剖面图。

图5为用于描述制造层状体和SAW器件的方法的示意性剖面图。

图6为用于描述制造层状体和SAW器件的方法的示意性剖面图。

图7为用于描述制造层状体和SAW器件的方法的示意图。

图8为示出SAW器件的结构的示意图。

具体实施方式

[本公开所要解决的技术问题]

当陶瓷基板和压电基片具有不足的接合强度时，在SAW器件的制造过程中陶瓷基板和压电基片彼此分离，这降低了SAW器件的制造中的成品率。为进一步降低SAW器件的生产成本，需要进一步提高陶瓷基板和压电基片之间的结合强度。

因此，目的在于提供一种能以足够的结合强度与压电基片结合的陶瓷基板，以及包括所述陶瓷基板的层状体和SAW器件。

[本公开的有益效果]

根据本公开的陶瓷基板，可以提供一种能以足够的结合强度与压电基片结合的陶瓷基板。

[本公开的实施方式描述]

首先，将列出并描述本公开的实施方式。根据本公开的陶瓷基板是由多晶陶瓷形成并且具有支撑主表面的陶瓷基板。在该陶瓷基板中，在支撑主表面中，多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值为15μm以上且小于40μm，并且晶粒尺寸的标准偏差小于1.5倍平均值。