[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法

说明书

本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的、利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R₀为28原子％以下，且在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R₁₀₀为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，且同时可良好地分离加工后的工件。

技术领域

本发明涉及一种可适宜地使用于切割的工件加工用片及使用了该工件加工用片的已加工工件的制造方法。

背景技术

硅、砷化镓等半导体晶圆及各种封装类(以下，有时将它们统一记作“被切断物”)被制造成大直径的状态，将它们分离(切割)为元件小片(以下，有时记作“芯片”)并分别分离(拾取)后，移送至作为后续工序的安装(mount)工序。此时，半导体晶圆等被切断物以贴附于具备基材及粘着剂层的工件加工用片的状态，进行切割、清洗、干燥、扩展(expanding)、拾取及安装等各项工序。

上述切割工序利用产生在旋转的切割刀片与被切断物或工件加工用片之间的摩擦热，加热切割刀片、被切断物及工件加工用片。此外，在切割工序中，被切断物及工件加工用片有时会产生切削片，而该切削片会附着于芯片。

因此，在进行切割工序时，通常会对切断部分供给流水从而冷却切割刀片等，且同时从芯片上去除所产生的切削片。

专利文献1中公开了一种工件加工用片，其以促进这种利用流水的切削片的去除为目的，其中，紫外线照射前的粘着剂层的与基材为相反侧的面对纯水的接触角为82°～114°，且对二碘甲烷的接触角为44°～64°，并且紫外线照射前的粘着剂层的探针粘性测试(probe tack test)的峰值为294～578kPa。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5019657号

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，在使用专利文献1中公开的以往的工件加工用片进行切割工序时，无法充分地从加工后的工件上去除源自工件加工用片的粘着剂层的粘着剂。

此外，在拾取工序中从工件加工用片上分离芯片时，通常要求不需要过度的施力就能够分离，由此不会发生芯片的破损等不良情况。

本发明是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种工件加工用片及使用了该工件加工用片的已加工工件的制造方法，该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，且同时可良好地分离加工后的工件。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的、利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R₀为28原子％以下，且在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R₁₀₀为20原子％以上、29原子％以下(发明1)。