[发明专利]固态成像元件和电子装置

权利要求书

1.一种光检测装置，包括：

第一像素电路，包括第一雪崩光电二极管和第一反相器，所述第一像素电路被配置为输出第一输出信号；

第二像素电路，包括第二雪崩光电二极管和第二反相器，所述第二像素电路被配置为输出第二输出信号；以及

控制电路，所述控制电路被配置为接收所述第二输出信号，其中，所述控制电路的输出端耦接至所述第一雪崩光电二极管的阳极和至少一个第二雪崩光电二极管的阳极。

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述控制电路包括比较单元，所述比较单元被配置为基于所述第二输出信号来调整所述输出。

3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第二雪崩光电二极管是多个第二雪崩光电二极管中的一个，

所述至少一个第二雪崩光电二极管的阳极是多个阳极中的一个，所述多个阳极中的每个对应于所述多个第二雪崩光电二极管中的一个，并且

所述控制电路的输出端耦接至所述多个阳极。

4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述多个第二雪崩光电二极管布置在一行中。

5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第一像素电路和所述第二像素电路被布置为阵列，并且

所述阵列的第一部分被遮光。

6.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，

所述阵列的第二部分不被遮光，并且

所述第一雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管位于所述阵列的第二部分。

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一像素电路还包括晶体管，所述晶体管的源极或漏极中的一个耦接至第一电位。

8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，所述第一反相器以及所述晶体管的所述源极或所述漏极中的另一个耦接至所述第一雪崩光电二极管的阴极。

9.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第二像素电路包括晶体管，所述晶体管的源极或漏极中的一个耦接至第一电位。

10.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，所述反相器以及所述晶体管的所述源极或所述漏极中的另一个耦接至所述第一雪崩光电二极管的阴极。

11.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第一像素电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极耦接至第一电位，并且

所述第二像素电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的源极或漏极耦接至所述第一电位。

12.一种电子设备，包括：

发光装置，被配置为产生照射光；并且

光接收装置，被配置为接收相对于所述照射光的反射光，所述光接收装置包括：

第一像素电路，包括第一雪崩光电二极管和第一反相器，所述第一像素电路被配置为输出第一输出信号，

第二像素电路，包括第二雪崩光电二极管和第二反相器，所述第二像素电路被配置为输出第二输出信号，以及

控制电路，所述控制电路被配置为接收所述第二输出信号，其中，所述控制电路的输出端耦接至所述第一雪崩光电二极管的阳极和至少一个第二雪崩光电二极管的阳极。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其中，

所述第二雪崩光电二极管是多个第二雪崩光电二极管中的一个，

所述至少一个第二雪崩光电二极管的阳极是多个阳极中的一个，所述多个阳极中的每个对应于所述多个第二雪崩光电二极管中的一个，并且

所述控制电路的输出端耦接至所述多个阳极。

14.根据权利要求13所述的电子设备，其中，所述多个第二雪崩光电二极管布置在一行中。