[发明专利]单电平单元高速缓存管理

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述阵列中的所述存储器单元可配置为多电平单元MLC配置或单电平单元SLC配置；

控制器，所述控制器执行固件指令，所述固件指令致使所述控制器执行包括以下各项的操作：

经由通信接口接收用于所述存储器装置的SLC高速缓存的行为简档，所述行为简档描述SLC高速缓存分配；

基于所述行为简档将所述阵列的存储器单元配置为属于SLC高速缓存池或MLC存储池；

接收用以将数据写入到所述存储器装置的写入命令；

将所述数据写入到所述SLC高速缓存池；及

在将所述数据写入到所述SLC高速缓存池之后，将所述数据传送到所述MLC存储池。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述通信接口为通用快闪存储接口。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述行为简档包括目标逻辑块寻址LBA饱和度阈值及所述SLC高速缓存的对应目标大小，且其中所述操作进一步包括：

确定当前LBA饱和度超过所述目标LBA饱和度阈值，且作为响应，调整所述阵列中的所述存储器单元的所述配置，使得所述SLC高速缓存中的所述存储器单元的数目产生为所述目标大小的SLC高速缓存大小。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述行为简档包含写入活动阈值，且其中所述操作进一步包括：

接收用以将第二数据写入到所述存储器装置的第二写入命令；

确定所述存储器装置的写入活动低于所述写入活动阈值，且作为响应，绕过所述SLC高速缓存而将所述第二数据写入到所述MLC存储池。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述写入活动阈值为待决写入请求的数目。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述写入命令是经由根据通用快闪存储UFS标准实施的接口从主机接收。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述确定所述存储器装置的所述SLC高速缓存的所述行为简档及基于所述行为简档将所述阵列的存储器单元配置为属于所述SLC高速缓存池或所述MLC存储池的操作仅在固件对象的第一次执行时执行。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述行为简档包括目标活动阈值及所述SLC高速缓存的对应目标大小，且其中所述操作进一步包括：

确定当前活动阈值超过所述目标活动阈值，且作为响应，调整所述阵列中的所述存储器单元的所述配置，使得所述SLC高速缓存中的所述存储器单元的数目产生为所述目标大小的SLC高速缓存大小。

9.一种方法，其包括：

在包括存储器单元阵列的存储器装置处，所述阵列中的所述存储器单元可配置为多电平单元MLC配置或单电平单元SLC配置，使用控制器执行包括以下各项的操作：

经由通信接口接收用于所述存储器装置的SLC高速缓存的行为简档，所述行为简档描述SLC高速缓存分配；

基于所述行为简档将所述阵列的存储器单元配置为属于SLC高速缓存池或MLC存储池；

接收用以将数据写入到所述存储器装置的写入命令；

将所述数据写入到所述SLC高速缓存池；及

在将所述数据写入到所述SLC高速缓存池之后，将所述数据传送到所述MLC存储池。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述通信接口为通用快闪存储接口。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述行为简档包括目标逻辑块寻址LBA饱和度阈值及所述SLC高速缓存的对应目标大小，且其中所述操作进一步包括：

确定当前LBA饱和度超过所述目标LBA饱和度阈值，且作为响应，调整所述阵列中的所述存储器单元的所述配置，使得所述SLC高速缓存中的所述存储器单元的数目产生为所述目标大小的SLC高速缓存大小。