[发明专利]用于无损衬底处理的静电吸盘

权利要求书

1.一种处理腔室设备，包括：

腔室主体，所述腔室主体中限定处理容积；以及

静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积内，所述静电吸盘包括：

支撑表面，所述支撑表面由含铝材料制成，所述支撑表面上设置有多个台面；

一个或多个电极，所述一个或多个电极设置在所述静电吸盘内；以及

陈化层，所述陈化层沉积在所述支撑表面上并在所述多个台面上方延伸，其中所述陈化层掺杂有碳。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述陈化层包括：

氮化硅材料、碳氮化硅材料、碳氧化硅材料、氧化硅材料和氮掺杂碳材料中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述陈化层的介电常数在3与12之间。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述陈化层具有在100nm至20微米之间的厚度。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述多个台面中的每个具有小于0.25微米的表面粗糙度。

6.一种处理腔室设备，包括：

腔室主体，所述腔室主体中限定处理容积；以及

静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积内，所述静电吸盘包括具有在1E+6ohm-cm和1E+10ohm-cm之间的体积电阻率的材料。

7.如权利要求7所述的设备，其进一步包括：

无定形碳陈化层，所述无定形碳陈化层沉积在所述支撑表面上、在所述多个台面上方。

8.如权利要求8所述的设备，其中所述陈化层具有在100纳米与20微米之间的厚度。

9.一种在静电吸盘上形成陈化层的方法，包括：

将处理腔室的处理容积加热到高于500摄氏度的温度；

将一种或多种前驱物气体引入到所述处理容积中；

用所述一种或多种前驱物气体来在所述处理容积内激发等离子体；

通过利用所述等离子体的化学气相沉积工艺在所述静电吸盘上沉积所述陈化层；以及

使用含碳前驱物气体向所述陈化层中掺杂碳以实现所述陈化层的在3与12之间的介电常数。

10.如权利要求9所述的方法，其进一步包括：

调节掺杂到所述陈化层中的碳的含量以将通过所述陈化层的电流泄漏最小化。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述陈化层包括氮化硅材料、碳氮化硅材料、碳氧化硅材料、氧化硅材料和氮掺杂碳材料中的至少一种。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述陈化层具有在100nm至20微米之间的厚度。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述一种或多种前驱物气体是硅前驱物气体，所述硅前驱物气体包括甲硅烷(SiH₄)、原硅酸四乙酯(TEOS)、二甲基甲硅烷(DMS)和三甲基甲硅烷(TMS)中的至少一种。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述一种或多种前驱物气体是碳前驱物，所述碳前驱物包括丙烯、乙炔、乙烯、甲烷、己烷、己烷、异戊二烯和丁二烯中的至少一种。

15.如权利要求10所述的方法，其中所述一种或多种前驱物气体是氮前驱物，所述氮前驱物包括吡啶、脂肪族胺、胺、腈和氨中的至少一种。