[发明专利]用于多管芯互连的装置和方法在审
| 申请号: | 201880058468.2 | 申请日: | 2018-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN111095527A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
| 发明(设计)人: | 让-菲利普·弗里克;菲利普·费洛里托 | 申请(专利权)人: | 赛睿博思系统公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/48;H01L23/00;H01L23/538;H01L23/58;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张瑞;杨明钊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 管芯 互连 装置 方法 | ||
1.一种具有多个互连管芯的半导体,所述半导体包括:
衬底,所述衬底包括半导体晶圆;
多个管芯,所述多个管芯由所述衬底形成;
电路层,所述电路层在所述多个管芯中的每个管芯处形成;
多个管芯间连接,所述多个管芯间连接通信地连接由所述衬底形成的不同管芯,其中,所述多个管芯间连接中的每个管芯间连接在所述多个管芯中的每对相邻管芯之间延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体,其中:
所述半导体晶圆包括单一的、整体连续的形式,并且
所述多个管芯由单一的、整体连续的形式的所述半导体晶圆整体且连续地形成。
3.根据权利要求1所述的半导体,还包括:
多个切割线,其中,所述多个切割线中的每个切割线位于在所述多个管芯的每对相邻管芯之间的所述衬底处,
其中,所述多个管芯间连接中的每个管芯间连接在所述多个切割线中的位于所述多个管芯的每对相邻管芯之间的一条切割线上延伸。
4.根据权利要求1所述的半导体,其中:
所述多个管芯中的每个管芯包括保护屏障,所述保护屏障包括包围所述多个管芯中的每个管芯的外周的密封环。
5.根据权利要求4所述的半导体,其中:
所述密封环在所述多个管芯的每个管芯的电路层与所述多个管芯中的每个管芯的侧面和顶面的交叉边缘之间延伸。
6.根据权利要求4所述的半导体,其中:
所述多个管芯间连接的每个管芯间连接的每一端延伸到在所述多个管芯的每对相邻管芯的有源层上的定位,并且
所述多个管芯间连接中的每个管芯间连接操作地连接每对相邻管芯的电路层。
7.根据权利要求1所述的半导体,还包括:
沿着所述多个管芯的子集中的至少一侧形成与所述多个管芯间连接不同的多个外周连接,所述子集沿着所述半导体的外周定位。
8.根据权利要求1所述的半导体,其中:
所述多个管芯间连接中的每个管芯间连接包括导电材料,所述导电材料实现了在其上的信号在所述多个管芯中的相邻管芯的电路层之间的传输。
9.根据权利要求1所述的半导体,其中:
所述多个管芯间连接中的每个管芯间连接包括导电材料,所述导电材料与在每个管芯的电路层上形成管芯内连接的导电材料相同。
10.根据权利要求1所述的半导体,其中:
所述多个管芯与所述衬底一体形成,并保持与所述衬底成为一体,而不将所述多个管芯中的每个管芯彼此切开。
11.根据权利要求1所述的半导体,其中:
所述多个管芯包括:
(i)第一子集的内部管芯,所述第一子集的内部管芯限定所述半导体衬底的内部,其中,所述第一子集的内部管芯具有与相邻管芯沿着所述第一子集的管芯的所有侧面的管芯间连接;
(ii)第二子集的外周管芯,所述第二子集的外周管芯限定所述半导体衬底的外周,其中,所述第二子集的外部管芯中的每个管芯的至少一侧在没有管芯间连接的情况下形成。
12.一种制造具有多个互连管芯的半导体的方法,所述方法包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底具有:
在所述半导体衬底内形成的多个不同管芯,以及
在所述多个不同管芯中的多对相邻管芯之间形成的多个切割线;以及
通过光刻系统制造在所述多个管芯中的相邻对管芯之间延伸的多个管芯间连接。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:
在所述多个管芯中的每个管芯处提供保护屏障,所述保护屏障围绕所述多个不同管芯中的每个管芯的有源电路区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛睿博思系统公司,未经赛睿博思系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880058468.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





