[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管(TFT)架构

说明书

一种装置，包括：层的堆叠，所述层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。

已知为边缘场切换(FFS)模式的液晶(LC)模式涉及通过改变在液晶材料的同一侧上以不同水平布置的像素电极和公共电极之间的电位差来引起液晶材料的LC指向矢的旋转。

与诸如面内切换(IPS)模式之类的其它LC模式相比，FFS模式的特征是操作电压相对低且透射率相对高。

FFS装置的产生可以涉及建立层的堆叠，层的堆叠限定像素电极和公共电极以及TFT的有源矩阵阵列，TFT的有源矩阵阵列用于相对于公共电极处的电位变化像素的像素电极处的电位。传统上，像素电极和公共电极位于堆叠内与TFT导体不同的水平处。

本申请的发明人已经开发了用于FFS显示装置的新架构。

因此，提供了一种装置，该装置包括层的堆叠，该层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。

根据一个实施例，该装置包括在所述第二水平处的至少两个导体图案，这两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。

根据一个实施例，所述栅极导体至少部分地由所述两个导体图案中的至少第一导体图案限定；并且所述公共导体至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。

根据一个实施例，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。

根据一个实施例，该装置包括在所述第一水平处的至少两个导体图案，这两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。

根据一个实施例，所述源极导体至少部分地由所述第一水平处的所述两个导体图案两者限定；并且所述像素导体均至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。

根据一个实施例，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。

因此，还提供了一种显示装置，该显示装置包括容纳在如上所述的装置和对向部件之间的液晶材料；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。

下面仅通过举例的方式，参考附图描述本发明的实施例，在附图中：

图1例示了根据本发明的第一实施例的装置；和

图2例示了结合到液晶单元组件中的图1的装置。

在下面的详细描述中，术语“像素导体”是指经由半导体沟道和此处称为“源极导体”的导体连接到驱动器芯片的导体/电极，即在电学上相对于驱动器芯片位于半导体沟道的下游的导体。像素导体也可以被称为TFT漏极导体/电极。

参考图1，支撑衬底2支撑层的堆叠，该层的堆叠至少限定(i)用于像素阵列的FFS电极，(ii)用于控制每个像素的像素电极处的电位的薄膜晶体管，以及(iii)用于寻址来自例如布置在阵列的外围的一个或多个驱动器芯片(未示出)的每个薄膜晶体管的电路(未完整示出)。为了清楚和简洁起见，图1仅示出了一个像素的架构，但是对于整个阵列中的每个像素，基本上重复了相同的架构。