[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管(TFT)架构在审
| 申请号： | 201880056985.6 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111051976A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | J·哈丁 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 薄膜晶体管 tft 架构 | ||
1.一种装置，包括：层的堆叠，所述层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起所述像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
2.根据权利要求1所述的装置，包括在所述第二水平处的至少两个导体图案，其中两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述栅极导体至少部分地由所述两个导体图案中的至少第一导体图案限定；并且所述公共导体至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置，包括在所述第一水平处的至少两个导体图案，其中两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述源极导体至少部分地由在所述第一水平处的所述两个导体图案两者限定；并且所述像素导体均至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。
8.一种显示装置，包括：液晶材料，所述液晶材料容纳在根据权利要求1至7中的任一项所述的装置和对向部件之间；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起所述像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
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