[发明专利]硅晶圆的评价方法及硅晶圆的制造方法

说明书

本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。

技术领域

本发明涉及一种硅晶圆的评价方法及硅晶圆的制造方法。

背景技术

抛光后的晶圆质量日益改善，在确认抛光清洗后的晶圆质量的基础上，将所确认到的异常区分为起因于抛光、起因于清洗或起因于结晶变得越发困难。

目前，为了评价抛光状态的质量，仅有对大量的晶圆进行抛光并追踪质量的倾向的方法，然而由于质量的差异因各种各样的外在要素而改变，因此难以进行评价。此外，以往仅对抛光后的晶圆进行一次测定，在制造数量庞大的晶圆的过程中，即使如以往那样进行抽样检查，也非常难以检测出抛光质量的异常。此外，到了能够明确判断出异常值的阶段时，大多已为时过晚。

虽然作为以往的表面质量的评价方法，有SC1-RT法，但该方法为用于评价起因于硅结晶的缺陷或金属污染的方法，并不是用于评价起因于抛光等加工的缺陷(加工缺陷)的方法(专利文献1)。

此外，由于SC1-RT法中使用碱性水溶液，因此原理上会与Si、SiO₂一同进行蚀刻，因而晶圆表面粗糙度的恶化显著。

此外，以往的利用臭氧水与HF处理的晶圆的质量评价方法包含将自然氧化膜全部去除(剥离)的工序(专利文献2)，若像这样完全去除氧化膜，则会引起起因于结晶的缺陷的显著化，进而无法评价抛光等的加工缺陷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-353281号公报

专利文献2：日本特开2013-004760号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种硅晶圆的评价方法，该方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。

解决技术问题的技术手段

为了解决上述问题，本发明提供一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：

预表面缺陷测定工序，其中，预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定；

清洗工序，其中，对所述硅晶圆交替地重复氧化处理与氧化膜去除处理，所述氧化处理中利用臭氧水，所述氧化膜去除处理中，在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸；及

增加缺陷测定工序，其中，对所述清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷，

所述评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。

若为这样的硅晶圆的评价方法，则能够不使清洗工序中的起因于结晶的缺陷显著化而仅使加工缺陷显著化，通过观察各清洗工序后所测定的增加缺陷的增加倾向，能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的加工缺陷进行评价，进而能够评价抛光等的加工质量。