[发明专利]冷却设备和用于冷却设备的等离子体清洁站

说明书

一种光刻设备包括：投影系统，配置成投影图案化辐射束以在衬底上形成曝光区域；冷却设备，在使用时位于所述衬底上方并且邻近于所述曝光区域，所述冷却设备配置成在使用期间从所述衬底去除热量；等离子体容器，位于所述冷却设备下方且所述等离子体容器的开口面朝所述冷却设备；以及用于将气体供应至所述等离子体容器的气体供应件和用于接收辐射束的孔。在使用时，所供应的气体与所接收的辐射束反应以在所述等离子体容器内形成等离子体，所述等离子体被引导朝向面向所述等离子体容器的开口的所述冷却设备的表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月26日提交的欧洲申请17177884.8、2017年8月1日提交的欧洲申请17184274.3和2017年11月10日提交的欧洲申请17201079.5的优先权，这些申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于光刻设备的冷却设备，和一种用于光刻设备的冷却设备的等离子体清洁站。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。

用于将图案投影至衬底上的辐射束将大量热递送至该衬底，且将造成该衬底的局部加热。由加热造成的衬底的局部膨胀将降低被投影的图案覆盖于已存在于衬底上的图案的准确度。

为了局部地抑制接近于曝光区域的衬底区域中的加热，将冷却设备设置于光刻设备中。冷却设备在非常低的温度(大约-60℃)下操作。由于冷却设备的低的操作温度，所以易于捕集一些抗蚀剂除气物质，诸如SnH₄和碳氢化合物。随着面向衬底的冷却设备的表面变得被碳氢化合物污染，热适应系数(TAC)将开始改变。这导致热传递的偏移且因此导致晶片加热重叠的变化。

发明内容

可以期望提供一种解决上述问题或解决与现有技术相关联的某一其它问题的光刻设备。

根据本发明的一个实施例，提供了一种光刻设备，包括：投影系统，配置成投影图案化的辐射束以在衬底上形成曝光区域；冷却设备，在使用时位于所述衬底上方并且邻近于所述曝光区域，所述冷却设备配置成在使用期间从所述衬底去除热量；等离子体容器，位于所述冷却设备下方，且所述等离子体容器的开口面朝所述冷却设备；以及用于将气体供应至所述等离子体容器的气体供应件和用于接收辐射束的孔，其中在使用时，所供应的气体与所接收的辐射束反应以在所述等离子体容器内形成等离子体，所述等离子体被引导朝向面向所述等离子体容器的开口的所述冷却设备的表面。

以此方式，有可能比先前已经是可实现的情况更加快速且有效地从冷却罩的表面清洁碳氢化合物。

在一些实施例中，所述气体由所述冷却设备供应。然而，在其它实施例中，所述气体可以另外或替代地由动态气锁供应。如果供应的气体为H₂，则这避免了提供单独的气体供应件的需要，因为气体已经存在于构成所述光刻设备的一部分的动态气锁中。

在一些实施例中，在使用时，所述离子体容器中的压力在10Pa与10000Pa之间，优选地在20Pa与200Pa之间，更优选地是100Pa。所述等离子容器中的压力越高，可越快地清洁所述冷却设备的表面。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于光刻设备的等离子体容器。