[发明专利]冷却设备和用于冷却设备的等离子体清洁站

权利要求书

1.一种用于投影设备的冷却系统，所述投影设备配置成投影辐射束以在衬底上形成曝光区域，所述冷却系统包括：

冷却设备，在使用时位于所述衬底上方并且邻近于所述曝光区域，所述冷却设备配置成在使用期间从所述衬底去除热量；和

污染物控制布置，配置成控制或去除所述冷却设备的表面的污染物。

2.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括：

等离子体容器，位于所述冷却设备下方，且所述等离子体容器的开口面朝所述冷却设备；和

用于将气体供应至所述等离子体容器的气体供应件和用于接收辐射束的孔，

其中在使用时，所供应的气体与所接收的辐射束反应以在所述等离子体容器内形成等离子体，所述等离子体被引导朝向面向所述等离子体容器的开口的所述冷却设备的表面。

3.根据权利要求2所述的冷却系统，其中，所述等离子体容器包括反射器，所述反射器用于在所述等离子体容器内反射来自所接收的辐射束的辐射。

4.根据权利要求2或3所述的冷却系统，其中，所述等离子体容器配置成接收额外的气体流。

5.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括：

冷却流体源，用于供应冷却流体，所述冷却设备流体地连接在所述冷却流体源的下游；和

限制件，处于所述冷却流体源与所述冷却设备之间的流体连接的横截面内，所述限制件实现所述冷却流体的压力减小，由此造成所述冷却设备附近的局部温度降低。

6.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括：

气体供应件，用于将气体供应至所述衬底上方的区域；和

孔，用于接收所述辐射束，其中在使用时，所供应的气体与所接收的辐射束反应以在所述衬底上方的区域中形成等离子体；

其中，所述冷却设备具有包括选择成增大自由基复合机率的材料的至少一个表面。

7.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括：

捕获剂递送系统，用于将捕获剂提供至所述冷却表面与所述衬底之间的区域，其中所述捕获剂配置成在所述投影设备的使用期间在所述冷却表面上形成捕获层。

8.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括：

一个或更多个加热元件，设置于所述冷却表面上或附近且配置成选择性地加热所述冷却表面的区域。

9.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括自清洁材料，所述自清洁材料设置在所述冷却设备的所述表面上。

10.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括不粘附材料或低粘附材料，所述不粘附材料或低粘附材料设置在所述冷却设备的所述表面上。

11.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括在所述冷却设备的所述表面上的多层涂层，所述多层涂层包括不粘附材料或低粘附材料的外层。

12.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括可连接至所述冷却设备的DC电压源。

13.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述污染物控制布置包括气体源，所述气体源配置成在使用时，将气体供应至所述冷却设备和所述衬底之间的区域；并且所述污染物控制布置包括等离子体产生器，所述等离子体产生器用于由所述气体产生等离子体。

14.一种投影设备，包括根据前述权利要求中任一项所述的冷却系统。

15.一种光刻设备，包括根据权利要求1-13中任一项所述的冷却系统。