[发明专利]内壁和基板处理装置

说明书

在基板处理装置中被使用、且与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台的圆筒形状的内壁在下端形成有多个狭缝，在该内壁的内侧面形成有多个自其上端延伸到下端且与该狭缝连通的槽。

技术领域

(相关申请的相互参照)

本申请基于2017年8月25日向日本国申请的日本特愿2017－162755号主张优先权，并将其内容引用到本说明书中。

本发明涉及对基板进行规定的处理时被使用、且包围载置该基板的载置台的圆筒形状的内壁和具备该内壁的基板处理装置。

背景技术

近年，伴随着半导体器件的微小化，代替干蚀刻、湿蚀刻这样的以往的蚀刻技术，使用有被称作化学氧化物去除(Chemical Oxide Removal：COR)处理的、能够更微小化地进行蚀刻的方法。

COR处理为如下的处理：在保持为真空的处理容器内，向例如作为被处理体的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)供给处理气体，使这些气体与例如形成于晶圆上的膜反应而生成生成物。利用COR处理生成于晶圆表面的生成物通过在下一工序进行加热处理而升华，由此去除晶圆表面的膜。

这样的COR处理是利用一片一片地处理晶圆的单片式的处理装置来进行的，但近年来，为了谋求生产率的提高，存在使用同时处理多个晶圆的处理装置的情况(专利文献1)。

对于专利文献1的处理装置，提案了为了防止处理气体的流动在多片，例如两片晶圆表面变得不均匀，而设置将处理容器内分隔成处理空间和排气空间的隔板的方法。

专利文献1：日本特开2007－214513号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，近年，晶圆处理的均匀性的要求变得严格，对于上述那样的同时处理两片晶圆的处理装置，难以适当地对处理气体的流动进行控制，而难以确保处理气体在各晶圆表面的均匀性。

本发明即是鉴于上述方面而做成的，其目的在于在面内均匀地进行使用了规定的处理气体的基板处理。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的一技术方案为一种内壁，该内壁为圆筒形状，与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台，该内壁在下端形成有多个狭缝，在内侧面形成有多个自上端向下端延伸且与所述狭缝连通的槽。

本发明的一技术方案所涉及的内壁在排出基板处理所使用的处理气体时被使用。即，对载置于载置台的基板供给处理气体而进行规定的处理，之后，在处理中所使用的处理气体自基板的外周经过载置台的外周与内壁之间的排气空间而被排出。而且，为了均匀地进行基板处理，需要相对于基板表面使处理气体均匀地停留，而需要自基板的外周均匀地进行该处理气体的排出。这一方面，由于在本发明的内壁的内侧面形成有自上端向下端延伸的槽，因而处理气体利用槽整流而自狭缝排出。因而，若使用本发明的内壁，则能够均匀地排出处理气体，而能够使处理气体均匀地在基板表面停留。其结果，使基板处理的速率均匀，而能够在面内均匀地进行该基板处理。