[发明专利]内壁和基板处理装置在审
申请号: | 201880053690.3 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN111033695A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 浅川雄二;田中厚士;小川裕之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内壁 处理 装置 | ||
1.一种内壁,该内壁为圆筒形状,与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台,其中,
该内壁在下端形成有多个狭缝,
该内壁在内侧面形成有多个自上端向下端延伸且与所述狭缝连通的槽。
2.根据权利要求1所述的内壁,其中,
所述狭缝和所述槽分别在周向上形成于7个部位以上。
3.一种基板处理装置,其用于处理基板,其中,
该基板处理装置具有:
处理容器,其收纳基板;
载置台,其在所述处理容器内载置基板;
供气部,其自所述载置台的上方朝向该载置台供给处理气体;
排气部,其使所述处理容器内排气;
分隔壁,其配置于所述处理容器内,与所述载置台的外周空开间隔地包围该载置台;
升降机构,其使所述分隔壁在退避位置与基板处理位置之间升降;以及
内壁,其为圆筒形状,配置于所述处理容器的底面,与所述载置台的外周空开间隔地包围该载置台,
在所述内壁的下端形成有多个狭缝,
在所述内壁的内侧面形成有多个自上端向下端延伸且与所述狭缝连通的槽,
通过使所述分隔壁向所述基板处理位置移动,从而利用所述分隔壁和所述内壁形成基板的处理空间,
经由所述槽和所述狭缝而自所述排气部使所述处理空间内排气。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
在所述内壁,所述狭缝和所述槽分别在周向上形成于7个部位以上。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述排气部具有设于所述处理容器的底面的排气管,
所述排气管在俯视时配置于内壁的外方。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述排气部具有设于所述处理容器的底面的排气管,
所述排气管在俯视时配置于内壁的外方。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述狭缝在俯视时自自连结所述内壁的中心和所述排气管的中心的直线上偏置地配置。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述狭缝在俯视时自连结所述内壁的中心和所述排气管的中心的直线上偏置地配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造