[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模

说明书

本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其配置在所述投影透镜上，包含使所述激光以规定的投影图案透过的长方形形状的透过区域，所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述投影掩模图案的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的形成，特别是涉及向非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模。

背景技术

作为反向交错结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜使用于沟道区域的结构。但是，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜使用于沟道区域，则存在薄膜晶体管中的电荷的迁移率减小这样的难点。

因此，存在如下的技术：将非晶硅薄膜的规定的区域通过激光进行瞬间加热而进行多晶体化，形成电子迁移率高的多晶硅薄膜，将该多晶硅薄膜使用于沟道区域。

例如，专利文献1公开了在基板上形成非晶硅薄膜，然后，对该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此，进行通过短时间内的熔融凝固而使多晶硅薄膜晶体化的处理的技术。专利文献1记载了通过进行该处理而能够使薄膜晶体管的源极与漏极之间的沟道区域成为电子迁移率高的多晶硅薄膜，能够实现晶体管动作的高速化的内容。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-100537号公报

发明内容

发明概要

发明要解决的课题

在专利文献1记载的薄膜晶体管中，向成为源极与漏极之间的沟道区域的部分照射激光而进行激光退火处理，但是照射的激光的强度不恒定，多晶硅结晶的晶体化的程度在该沟道区域内有时会偏颇。特别是在激光经由投影掩模照射的情况下，根据该投影掩模的形状而存在向成为沟道区域的部分照射的激光的强度无法变得恒定的情况，其结果是，成为沟道区域的部分中的晶体化的程度发生偏颇。

因此，存在所形成的多晶硅薄膜的特性无法变得均匀的情况，由此基板包含的各个薄膜晶体管的特性可能会发生偏颇。其结果是，会产生在使用基板制成的液晶发生显示不均这样的问题。

本发明的目的鉴于上述的问题点而作出的，提供一种能够减少向沟道区域照射的激光的特性的偏颇，抑制基板包含的多个薄膜晶体管的特性的变动的激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模。

用于解决课题的方案

本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其配置在所述投影透镜上，包含使所述激光以规定的投影图案透过的长方形形状的透过区域，所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述投影掩模图案的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。

在本发明的一实施方式的激光照射装置中，其特征也可以在于，所述投影透镜经由所述投影掩模图案对于沿规定的方向移动的所述基板上的多个所述规定的区域照射所述激光，所述投影掩模图案在与所述移动的方向正交的一列中，至少相邻的透过区域相对于所述规定的区域的照射范围互不相同。

本发明的一实施方式的激光照射装置的特征也可以在于，所述投影透镜使用多个所述透过区域对于一个规定的区域照射所述激光。

本发明的一实施方式的激光照射装置的特征也可以在于，所述投影掩模图案在所述移动的方向的一行中，至少相邻的透过区域相对于所述规定的区域的照射范围互不相同。