[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模在审
申请号: | 201880051857.2 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN111033693A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 水村通伸;畑中诚;新井敏成 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 洪秀川 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 薄膜晶体管 制造 方法 程序 投影 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:
光源,其产生激光;
投影透镜,其向粘附于基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光;及
投影掩模图案,其配置在所述投影透镜上,包含使所述激光以规定的投影图案透过的长方形形状的透过区域,
所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述投影掩模图案的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜经由所述投影掩模图案对于沿规定的方向移动的所述基板上的多个所述规定的区域照射所述激光,
所述投影掩模图案在与所述移动的方向正交的一列中,至少相邻的透过区域相对于所述规定的区域的照射范围互不相同。
3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜使用多个所述透过区域对于一个规定的区域照射所述激光。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案在所述移动的方向的一行中,至少相邻的透过区域相对于所述规定的区域的照射范围互不相同。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案基于所述激光的在所述规定的区域中的能量来决定所述透过区域的宽度或大小。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜是能够分离所述激光的微型透镜阵列包含的多个微型透镜,
所述投影掩模图案包含的多个透过区域的各个透过区域与所述多个微型透镜的各个微型透镜对应。
7.一种激光照射方法,其特征在于,包括:
产生激光的产生步骤;
使用配置于投影透镜的规定的投影图案使所述激光透过的透过步骤;及
向粘附于基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射透过了所述规定的投影图案的所述激光的照射步骤,
所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述投影掩模图案的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。
8.一种程序,其特征在于,使计算机执行:
产生激光的产生功能;
使用配置于投影透镜的规定的投影图案使所述激光透过的透过功能;及
向粘附于基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射透过了所述规定的投影图案的所述激光的照射功能,
所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述投影掩模图案的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。
9.一种投影掩模,其配置在照射从光源产生的激光的投影透镜上,其特征在于,
所述投影掩模设有长方形形状的透过区域,以对于粘附在沿规定的方向移动的基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,
所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述透过区域的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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