[发明专利]基板处理方法在审
申请号: | 201880050347.3 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN111052313A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 田村武;児玉宗久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B65G49/07;H01L21/304;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
基板处理方法具有:加工工序,自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工;以及输送工序,将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件安装于在加工工序中进行了加工的基板并进行输送。以将静电支承件安装于施加了加工后的基板的状态对其进行输送,因此,能够利用静电支承件针对基板的脆弱性进行加强,能够良好地防止输送时的基板的变形、破损。
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法。
背景技术
近年来,为了应对半导体装置的小型化、轻型化的要求,在半导体晶圆等基板的第1主表面形成元件、电路、端子等之后,对基板的与第1主表面相反的一侧的第2主表面进行磨削,而对基板进行薄板化。在对基板进行薄板化时,基板的第1主表面由保护带保护(例如参照专利文献1)。在进行薄板化之后或之前,进行基板的切割。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-91240号公报
发明内容
在半导体装置的制造过程中,需要在实施各工序的单元间输送基板。特别是,由于进行了薄板化、切割等加工的基板较为脆弱,因此存在基板在输送时破损的可能性。此外,虽然可以如上述那样在基板粘贴保护带,但由于保护带的刚性也较低因此难以抑制基板的破损。
本公开的目的在于提供一种在半导体装置的制造过程中能够提高基板的输送强度的基板处理方法。
本发明的实施方式的一观点的基板处理方法具有:加工工序,自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工;以及输送工序,将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件安装于在所述加工工序中进行了加工的所述基板并进行输送。
根据本公开,能够提供在半导体装置的制造过程中能够提高基板的输送强度的基板处理方法。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的俯视图。
图2是表示由基板处理系统进行处理后的基板的立体图。
图3是表示切割部的图。
图4是表示支承件安装部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图5是表示支承件卸下部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图6是表示薄板化部的粗磨削部的图。
图7是表示支承件安装部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图8是表示紫外线照射部的图。
图9是支承件卸下部中的基板以及静电支承件的状态的图。
图10是表示装配部的图。
图11是表示保护带剥离部中的基板以及保护带的状态的图。
图12是实施方式的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
以下,一边参照附图一边对实施方式进行说明。为了易于理解说明,在各附图中,对相同的构成要素尽可能标注相同的附图标记,省略重复的说明。另外,在以下的说明中,X方向、Y方向、Z方向为相互垂直的方向,X方向以及Y方向为水平方向,Z方向为铅垂方向。将以铅垂轴线为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造