[发明专利]对用于缺陷优化的掩模版放置的控制

说明书

一种设计用于将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的系统，包括照相机模块、致动器和控制器。照相机模块被设计成捕获图案形成装置的背面的图像数据。致动器被耦接到多个突节中的至少一个突节，并且被设计为移动所述至少一个突节。控制器被设计为接收来自照相机模块的被捕获的图像数据，并根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。所述控制器还被设计为控制所述致动器，以基于所确定的污染物部位，使所述多个突节中的所述至少一个突节被移动远离所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2017年7月21日提交的美国临时专利申请号62/535,508的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种用于支撑物体，例如光刻设备中的图案形成装置和/或衬底，的静电夹具以及一种用于将物体耦接到静电夹具的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置可被用来生成与所述IC的单层对应的电路图案，并且该图案可被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。通常，单个衬底将包含连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过所述束在给定方向(“扫描”方向)上来扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底上。

光刻术被广泛地认为是IC和其它器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制作的特征的尺寸变得更小，光刻术正变成使得能够制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。

图案印刷极限的理论估计可以由分辨率的瑞利准则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是被印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。根据等式(1)可以得出，可以按照三种方式获得特征的最小可印刷尺寸的减小：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA、或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，因此减小最小可印刷尺寸，已经提出了使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在13-14nm范围内，例如在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

然而，由这种源产生的辐射将不仅仅是EUV辐射，并且所述源还可以发射包括红外(IR)辐射和深紫外(DUV)辐射的其它波长。DUV辐射可能对光刻系统有害，因为它可能导致对比度的损失。此外，不需要的IR辐射会对系统内的部件造成热损害。因此，已知使用光谱纯度滤光器来增加EUV在透射后的辐射中的比例，并减少或甚至消除不需要的非EUV辐射，例如DUV和IR辐射。

使用EUV辐射的光刻设备可能需要EUV辐射束路径或至少其主要部分在光刻操作期间必须保持在真空中。在光刻设备的这种真空区域中，静电夹具可以用于将诸如图案形成装置和/或衬底之类的物体分别夹持到诸如图案形成装置台和/或衬底台之类的光刻设备的结构。

静电夹具和物体之间的界面在静电夹具和物体中的一个或两个上的接触点处受到磨损。当在静电夹具和物体之间存在污染物粒子时，这个问题变得更糟。对于将来的光刻系统，预计部件增加的加速度、加热和其它因素会加剧该问题。此外，在图案形成装置和静电夹具之间污染物粒子的存在可能会导致重叠问题、对图案形成装置的损坏、或对静电夹具的损坏。

发明内容