[发明专利]三维结构体的制造方法、垂直晶体管的制造方法、垂直晶体管用晶元以及垂直晶体管用基板

权利要求书

1.一种三维结构体的制造方法，其特征在于，

在对具有氧浓度在1×10¹⁷atoms/cm³以上的表层的硅基板的所述表层进行加工而形成了三维形状后，通过进行热处理而在所述三维形状的表面形成氧化膜，从而制造三维结构体。

2.根据权利要求1所述的三维结构体的制造方法，其特征在于，所述表层的氧浓度在1×10¹⁸atoms/cm³以上。

3.根据权利要求1或2所述的三维结构体的制造方法，其特征在于，

所述三维结构体形成在所述硅基板的厚度方向上具有凹凸的形状，沿着所述硅基板的厚度方向的高度是1nm以上1000nm以下。

4.根据权利要求3所述的三维结构体的制造方法，其特征在于，

所述三维结构体的所述高度是1nm以上100nm以下。

5.根据权利要求3或4所述的三维结构体的制造方法，其特征在于，

关于所述三维结构体，相对于所述硅基板的厚度方向垂直的方向的长度是1nm以上10000nm以下，相对于所述硅基板的厚度方向垂直的方向的宽度是1nm以上100nm以下。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的三维结构体的制造方法，其特征在于，

所述三维形状通过蚀刻对所述表层进行加工来形成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的三维结构体的制造方法，其特征在于，

所述硅基板是单晶硅基板。

8.一种垂直晶体管的制造方法，其特征在于，

使用三维结构体来制造晶体管，所述三维结构体具有通过权利要求1至7中任一项所述的三维结构体的制造方法制造的所述氧化膜。

9.一种垂直晶体管用晶元，其特征在于，

所述垂直晶体管用晶元具有硅基板，所述硅基板具有氧浓度在1×10¹⁷atoms/cm³以上的表层。

10.根据权利要求9所述的垂直晶体管用晶元，其特征在于，

所述表层的氧浓度在1×10¹⁸atoms/cm³以上。

11.一种垂直晶体管用基板，其具有：

硅基板；以及

三维结构体，其设置于所述硅基板的表面，

所述三维结构体具有与所述硅基板连续的以Si为主体的芯部、以及覆盖所述芯部的表面的SiO₂制的覆膜，在所述芯部与所述覆膜的边界面上的周期10nm以下的凹凸的高低差在1.5nm以下。

12.一种三维结构晶体管，其包含直径或者最短边在1μm以下的三维结构，其特征在于，

所述三维结构晶体管使用三维结构体来制作，所述三维结构体使用Si基板来加工，所述Si基板的至少所述三维结构的高度方向的到深度为止的区域上的氧浓度在1×10¹⁸atoms/cm³以上。