[发明专利]电容器有效
申请号: | 201880047281.2 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN110914973B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 竹内雅树;芦峰智行 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01G4/33;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王秀辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 | ||
具备:基材(110),其具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B),并在第一主面(110A)侧形成有多个沟道部(111);介电膜(130),其在基材(110)的第一主面(110A)侧设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域;导电体膜(140),其设置在包含多个沟道部(111)的内侧的区域且设置在介电膜(130)之上;以及焊盘(161),其与导电体膜(140)电连接,多个沟道部(111)在从基材(110)的第一主面(110A)的法线方向俯视时,避开焊盘(161)的周围的区域中沿与焊盘(161)电连接的焊线(162)延伸的第一方向X的第一区域(101)而设置在沿与第一方向X交叉的第二方向Y的第二区域(102)。
技术领域
本发明涉及电容器。
背景技术
为了与安装电容器的电子设备的高功能化·小型化对应,电容器要求电容密度的提高。例如,在专利文献1公开了具有在基板的贯通孔内以中心导体为中心同轴状地配置了电介质和外侧导体的多个电容器结构部、和形成在基板的表面侧并与中心导体电连接的上面布线,将上面布线作为连接端子,连接端子经由焊线与外部端子连接的半导体装置。由此,即使不扩大芯片面积也能够使电容器结构部的电容器电容增加。
然而,例如使用超声波将这样的电容器的连接端子(焊盘)与焊线相互连接。在使用了超声波的引线键合中,通过将焊线按压至焊盘,并施加超声波以使焊线与焊盘的接合部向一个方向振动,使焊线与焊盘接合。超声波的振动方向典型而言是焊线的延伸方向。
专利文献1:日本专利第5522077号公报
如专利文献1所图示的那样,在焊盘和电容器结构部沿焊线的延伸方向排列的情况下,有由于引线键合时的超声波而电容器结构部损伤的担心。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的,目的在于提供能够实现可靠性的提高的电容器。
本发明的一方式所涉及的电容器具备:基材,其具有相互对置的第一主面以及第二主面,并在第一主面侧形成有多个沟道部;介电膜,其在基材的第一主面侧设置在包含多个沟道部的内侧的区域;导电体膜,其设置在包含多个沟道部的内侧的区域且设置在介电膜之上;以及焊盘,其与导电体膜电连接,多个沟道部在从基材的第一主面的法线方向俯视时,避开焊盘的周围的区域中沿与焊盘电连接的焊线延伸的第一方向的第一区域而设置在沿与第一方向交叉的第二方向的第二区域。
本发明的其它的一方式所涉及的电容器具备:基材,其具有相互对置的第一主面以及第二主面,并在第一主面侧形成有多个沟道部;介电膜,其在基材的第一主面侧设置在包含多个沟道部的内侧的区域;导电体膜,其设置在包含多个沟道部的内侧的区域且设置在介电膜之上;以及焊盘,其与导电体膜电连接,多个沟道部在从基材的第一主面的法线方向俯视时,沿第一方向具有细长的开口形状。
本发明的其它的一方式所涉及的电容器具备:基材,其具有相互对置的第一主面以及第二主面,并在第一主面侧形成有多个沟道部;介电膜,其在基材的第一主面侧设置在包含多个沟道部的内侧的区域;导电体膜,其设置在包含多个沟道部的内侧的区域且设置在介电膜之上;以及焊盘,其与导电体膜电连接,多个沟道部在从基材的第一主面的法线方向俯视时,设置为焊盘的周围的区域中沿与焊盘电连接的焊线延伸的第一方向的第一区域的开口面积密度比沿与第一方向交叉的第二方向的第二区域的开口面积密度小。
根据本发明,能够提供能够实现可靠性的提高的电容器。
附图说明
图1是示意地表示第一实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。
图2是示意地表示沿图1所示的电容器的II-II′线的剖面的构成的剖视图。
图3是示意地表示第二实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。
图4是示意地表示第三实施方式所涉及的电容器的构成的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造