[发明专利]具有经涂覆的发射线圈的涂覆设备

说明书

本发明涉及一种通过将一种或多种工艺气体进料到处理室(1)中而在基底(4)上沉积层的设备，其中承载基底(4)的基座(3)能够通过一个或多个发射线圈(5)产生的电磁交变场而被加热至工艺温度，其中所述一个或多个发射线圈具有涂层(9)。为了给这种类型的设备指定一种耐腐蚀的、同时具有低发射率的且因此在氯化合物和湿气的存在下有效的发射线圈涂层而建议，涂层(9)由锡和镍组成。

技术领域

本发明涉及一种通过将一种或多种工艺气体进料到处理室中而在基底上沉积层的设备，其中承载基底的基座能够通过一个或多个发射线圈产生的电磁交变场而被加热至工艺温度，其中所述一个或多个发射线圈具有涂层。

现有技术

在DE 10 2010 016 471 A1中描述了这种类型的设备。处理室位于与外界气密密封的壳体中，由导电材料制成的基座位于该处理室中，在所述基座上放置有基底。通过进气元件将反应性工艺气体进料到处理室中。基座通过加热装置被加热至工艺温度，在该温度下，工艺气体热解以将层沉积在基底上。通过具有射频的电磁交变场来进行基座的加热。在基座中感应出的涡流会产生热量，其将基底加热。

用来产生电磁交变场的发射线圈设有金涂层。与其他贵金属一样，金具有低的光发射率的特性，该特性不会随时间而变化。

低的光发射率是一种优势，因为可将通过发射线圈造成的热损失最小化。不断变化的发射率，例如由于氧化物层或反应层而导致的不断变化的发射率，将不利地影响反应器的热平衡。尽管金的物理和化学性质足以用于此类应用，但仍希望使用在湿气和Cl₂(或HCl)下具有耐腐蚀性能的涂层，该涂层另外/同时具有恒定且低的发射率。DE 10 2009 025971、US 7,897,205、US 4,699,675、US 2012/052216、US 7,241,506和US 2011/259879也属于现有技术。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于通用设备的耐腐蚀的、同时具有低发射率且因此在氯化合物和湿气的存在下有效的发射线圈涂层。

该目的通过权利要求中指定的本发明来实现，其中从属权利要求不仅代表了独立权利要求的有利扩展，而且还代表针对该目的的独立的解决方案。权利要求的各个特征可与其他权利要求的各个特征结合。

根据本发明，提供一种改进的设备和一种改进的发射线圈。

首先并且最重要的是规定了使用由锡和镍组成的涂层代替由贵金属组成的涂层。涂层的最外层优选地仅具有锡和镍元素。特别地由有色金属制成并且被设计成螺旋形空心体的发射线圈具有外表面，该外表面在涂覆之前被以合适的方式机械清洁，例如玻璃珠喷砂。将根据本发明的涂层施加到基础层(1-50μm化学NiP(Hi-磷(10-14重量％))上。所述涂层是两种镍/锡化合物的混合物，即Ni₃Sn₂和Ni₃Sn₄的混合物。该混合物可具有非化学计量组成。特别地规定，涂层具有60/40重量％至70/30重量％的锡/镍比。Sn/Ni之比特别优选地为65/35重量％。层厚度可在1至50μm或1至30μm的范围内。层厚度优选地为约20μm。该层以电镀的方式沉积在发射天线的任选地经预处理的基体上。但是，也可考虑其他涂覆可能性，例如溅射或浸涂。优选具有至少30μm的层厚度的含镍的基础层形成扩散阻挡层(扩散屏障)。

一方面，根据本发明的涂层被证明对氯或含氯化合物具有耐受性，另一方面，其具有低的光发射率，即高的光反射率。发射率/反射率也随时间稳定。即使在涂层较长时间暴露于具有氯或含氯化合物之后，甚至在较高温度下，该发射率/反射率也不会改变。该层对氯离子具有高的耐受性并形成针对氯离子的有效的扩散阻挡层。它防止氯离子穿过涂层扩散到金属发射线圈的基础材料中。与例如镍或铬不同，根据本发明的混合物/合金具有基本恒定的发射率。即使在表面较长时间暴露于氯或含氯化合物的情况下，该表面的光学性能也不会改变。尤其在富含氯和潮湿的环境中，确保了耐化学性。

附图说明