[发明专利]具有经涂覆的发射线圈的涂覆设备

权利要求书

1.通过将一种或多种工艺气体进料到处理室(1)中而在基底(4)上沉积层的设备，其中承载基底(4)的基座(3)能够通过一个或多个发射线圈(5)产生的电磁交变场而被加热至工艺温度，其中所述一个或多个发射线圈具有涂层(9)，其特征在于，涂层(9)由锡和镍组成。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，涂层(9)是Ni₃Sn₂和Ni₃Sn₄的混合物。

3.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，涂层(9)具有在40和30重量％之间的镍含量和在60和70重量％之间的锡含量。

4.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，涂层(9)的最外层仅由镍和锡元素组成。

5.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于,涂层(9)的锡/镍比为65/35重量％。

6.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于,涂层(9)的层厚度在1和50μm之间或在1和30μm之间，优选地为20μm。

7.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，涂层(9)以电镀的方式沉积在发射线圈(5)上。

8.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，基本上含铜的发射线圈上施加有基本上含镍的基础层，所述基础层带有涂层(9)。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于,所述基础层具有1至50μm、并且特别地至少30μm的层厚度。

10.用于根据权利要求1至9之一所述的设备的发射线圈(5)，其特征在于，发射线圈(5)具有螺旋形状，带有两个用于馈送RF交变场的端部(6、7)，其中发射线圈(5)具有在端部(6、7)之间延伸的空腔(8)和涂覆有涂层(9)的外壁，其特征在于，涂层(9)由锡和镍组成。

11.根据权利要求10所述的发射线圈，其特征在于，涂层(9)是Ni₃Sn₂和Ni₃Sn₄的混合物。

12.根据权利要求10或11所述的发射线圈，其特征在于，锡/镍比在60/40重量％和70/30重量％之间的范围内，并且特别地为35/35重量％，和/或层厚度在1和50μm的范围内，特别地为20μm。

13.设备或发射线圈，其特征在于前述权利要求之一的一个或多个特征。