[发明专利]细粒度动态随机存取存储器

说明书

本发明描述与动态随机存取存储器DRAM相关的系统、设备及方法，所述DRAM是例如细粒度DRAM。举例来说，可将存储器装置中的存储器单元阵列分割成若干区。各区可包含多个存储器单元库。各区可与经配置以与主机装置通信的数据通道相关联。在一些实例中，所述阵列的各通道可包含两个或多于两个数据引脚。在各种实例中，每通道的数据引脚的比率可为二或四。其它实例可包含每通道八个数据引脚。

交叉参考

本专利申请案主张Keeth在2018年5月10日申请的标题为“细粒度动态随机存取存储器(Finer Grain Dynamic Random Access Memory)”的美国专利申请案第15/976,580号的优先权，所述美国专利申请案主张Keeth在2017年6月16日申请的标题为“细粒度动态随机存取存储器(Finer Grain Dynamic Random Access Memory)”的美国临时专利申请案第62/521,044号的权益及优先权，所述专利申请案转让给本发明的受让人，所述专利申请案的全文明确地以引用的方式并入本文中。

背景技术

以下内容大体上涉及操作存储器阵列，且更特定地说，涉及细粒度动态随机存取存储器(DRAM)。

存储器装置广泛地用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等的各种电子装置中存储信息。信息是通过编程存储器装置的不同状态而进行存储。举例来说，二进制装置具有两个状态，通常被表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储多于两个状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘驱动器、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、DRAM、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它者。存储器装置可为易失性的或非易失性的。

大体来说，改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度、增强可靠性、延长数据保持、降低功率消耗，或缩减制造成本，以及其它度量。提高存储器科技已实现对许多这些度量的改进，但高可靠性、低时延及/或低功率装置倾向于价格昂贵，且可能难以缩放。随着用于高可靠性、低时延、低功率存储器的应用的数量增加，对于这些应用来说，对可缩放的、高效的且具成本效益的装置的需求同样增大。

附图说明

图1绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的存储器裸片的实例。

图2绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的装置的实例。

图3绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的存储器裸片的实例。

图4绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的存储器裸片的实例。

图5绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的存储器裸片的实例。

图6绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的存储器裸片的实例。

图7绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的数据通道配置的实例。

图8绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的信号路径路由的实例。

图9绘示支持根据本发明的实例的特征及操作的系统的实例。

具体实施方式