[发明专利]细粒度动态随机存取存储器在审
申请号: | 201880045249.0 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN110870011A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | B·基思 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/4096 | 分类号: | G11C11/4096;G11C5/06;G11C8/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 细粒度 动态 随机存取存储器 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器单元阵列,其具有各包括多个存储器单元库的多个区;及
多个通道,其横穿所述存储器单元阵列,其中所述通道中的各者与所述存储器单元阵列的区耦合,且经配置以在所述区中的所述多个存储器单元库与主机装置之间传达信号。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:
输入/输出I/O区域,其横越所述存储器单元阵列延伸,所述I/O区域占据所述存储器单元阵列的没有存储器单元的区域。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述I/O区域包含经配置以将所述存储器单元阵列与功率节点或接地节点耦合的硅穿孔TSV。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:
多个通道接口,其分布于所述存储器单元阵列中。
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述多个通道接口为凸出部。
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中所述多个通道接口的通道接口定位于所述存储器单元阵列的各四分体中。
7.根据权利要求4所述的存储器装置,其进一步包括:
多个信号路径,其在所述区的存储器单元与关联于所述区的通道接口之间延伸,其中所述通道接口定位于所述存储器单元阵列中以最小化所述信号路径的长度。
8.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:
第二存储器单元阵列,其堆叠于所述存储器单元阵列的顶部上,所述第二存储器单元阵列具有各包括多个存储器单元库的区;及
第二多个通道,其横穿所述第二存储器单元阵列,其中所述第二多个通道的所述通道中的各者与所述第二存储器单元阵列的第二区耦合,且经配置以在所述第二区中的所述多个存储器单元库与所述主机装置之间传达信号。
9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中通道在所述区与所述主机装置之间建立点对点连接。
10.一种存储器装置,其包括:
存储器单元阵列,其具有各包括多个存储器单元库的区;
输入/输出I/O区域,其横越所述存储器单元阵列延伸,所述I/O区域包含经配置以将信号路由至所述存储器单元阵列及从所述存储器单元阵列路由信号的多个终端;及
多个通道,其定位于所述存储器单元阵列的所述I/O区域中,其中所述通道中的各者与所述存储器单元阵列的区耦合,且经配置以在所述区中的所述多个存储器单元库与主机装置之间传达信号。
11.根据权利要求10所述的存储器装置,其进一步包括:
多个通道接口,其定位于所述存储器单元阵列的所述I/O区域中,其中信号路径将所述区与所述多个通道接口耦合。
12.根据权利要求11所述的存储器装置,其中所述I/O区域包含经配置以将堆叠于所述存储器单元阵列的顶部上的第二存储器单元阵列与通道接口耦合的硅穿孔TSV。
13.根据权利要求11所述的存储器装置,其中所述区的通道接口定位于将由所述通道接口服务的所述区平分的I/O区域内。
14.根据权利要求10所述的存储器装置,其中所述I/O区域包含经配置以将所述存储器单元阵列与功率节点或接地节点耦合的硅穿孔TSV。
15.根据权利要求10所述的存储器装置,其中所述I/O区域占据所述存储器单元阵列的没有存储器单元的区域。
16.根据权利要求10所述的存储器装置,其中所述存储器单元阵列由两个I/O区域或四个I/O区域平分。
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