[发明专利]电力转换单元、等离子体处理设备和控制多个等离子体处理的方法

权利要求书

1.一种电力转换单元(1，1’)，其中，所述电力转换单元(1，1’)能够将输入电力转换为双极性的输出电力并将此输出电力输送到至少两个独立的等离子体处理室(9a、9b、…9n)，所述单元(1，1’)包括：

-一个电力输入端口(2)，其用于连接到电力输送网(7)，

-至少两个电力输出端口(3a、3b、…3n)，每个电力输出端口(3a、3b、…3n)用于连接到等离子体处理室(9a、9b、…9n)之一，

-控制装置(4)，其被配置为能够使用控制参数，通过获得针对输出端口(3a、3b、…3n)的参数的期望值的全集，来控制所述单元(1，1’)将双极性的输出功率输送到功率输出端口(3a、3b、…3n)，其中，所述控制参数为以下项中的至少一个的控制参数：功率、电压、电流、激励频率和用于保护装置的阈值，

-控制装置(4)还被配置为能够计算电力转换单元(1，1’)是否能够将每个期望的参数输送到输出端口(3a、3b、…3n)中的每个，如果是，则计算输送到输出端口(3a、3b、…3n)的电力的脉冲的序列，以为等离子体处理提供电力。

2.根据权利要求1所述的单元(1，1’)，其中，所述单元(1，1’)包括：第一电力转换级(5)，其被配置为能够将输入电力转换为中间电力，所述单元(1，1’)包括：至少一个另外的电力转换级(6、6a、6b、…6n)，其被配置为能够将来自第一电力转换级(5)的中间电力转换为双极性的输出电力。

3.根据权利要求2所述的单元(1，1’)，其中，所述单元(1，1’)包括：开关装置(8a、8b、…8n)，其位于电力转换级(5、6、6a、6b、…6n)与输出端口(3a、3b、…3n)之间，开关装置(8a、8b、…8n)由控制装置(4)控制。

4.根据权利要求3所述的单元(1，1’)，其中，控制装置(4)被配置为能够控制电力转换级(5、6、6a、6b、…6n)和/或开关装置(8a、8b、…8n)，使得在使用状态下，所述单元(1，1’)在第一时间(T31)在第一电力输出端口(3a)处输送第一输出电力信号达第一时间帧(T31-T32)，在第二时间(T41)在第二电力输出端口(3b、…3n)处输送第二电力信号达第二时间帧(T41-T42)，其中，第一时间(T31)与第二时间(T41)不同和/或第一时间帧(T31-T32)与第二时间帧(T41-T42)不同。

5.根据权利要求1-4中的任意一项所述的单元(1，1’)，其中，所述单元(1，1’)包括：柜子(10)，其包围所述单元(1，1’)的所有其他部件，其中，输入端口(2)直接连接到柜子(10)，其中，输出端口(3a、3b、…3n)直接连接到柜子(10)。

6.根据权利要求1所述的单元(1，1’)，其中，第一电力转换级(5)，被配置为能够将输入电力转换为DC母线电力。

7.一种等离子体处理设备(19，19’)，所述等离子体处理设备(19，19’)包括：

-两个或多于两个的等离子体处理室(9a、9b、…9n)，

-根据前述权利要求中的任意一项的一个电力转换单元(1，1’)，以及，-每个等离子体处理室(9a、9b、…9n)连接到电力转换单元(1，1’)的电力输出端口(3a、3b、…3n)之一，以及连接到电力转换单元(1，1’)外部的控制器(17)。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备(19，19’)，其中，等离子体处理室中的至少一个被配置为能够在使用状态下处理PECVD、PVD、ALD或蚀刻处理中的至少一个。

9.根据权利要求7所述的等离子体处理设备(19，19’)，其中，等离子体处理室中的两个被配置为能够在使用状态下处理PECVD、PVD、ALD或蚀刻处理中的至少一个。