[发明专利]用于制备非氧化物陶瓷粉末的方法有效
| 申请号: | 201880039486.6 | 申请日: | 2018-06-07 |
| 公开(公告)号: | CN110958995B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
| 发明(设计)人: | A.达什;J.冈萨雷斯;R.瓦森;O.吉永 | 申请(专利权)人: | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C01B21/06;C01B35/04;C04B35/58;C04B35/626;C01B32/907;C01B32/914;C04B41/50;C04B41/45;C04B41/51 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;杨思捷 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制备 氧化物 陶瓷 粉末 方法 | ||
本发明提供一种用于制备非氧化物陶瓷粉末的方法,该非氧化物陶瓷粉末包括氮化物、碳化物、硼化物或至少一个具有一般组成Mn+1AXn的MAX相,其中M=至少一种选自过渡元素族(Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta)中的元素,A=至少一种选自组(Si、Al、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl和Pb)中的A族元素,X=碳(C)和/或氮(N)和/或硼(B)并且n=1、2或3。根据本发明,将相应量的单质起始材料或其它前体与至少一种金属卤素盐(NZ)混合、压制(丸粒)并且为了合成与金属卤素盐(NZ)一起加热。压制的丸粒首先用另外的金属卤素盐包覆,再次压制,置于盐浴中并与其一起加热到高于盐的熔化温度。任选地,可以加入熔融硅酸盐,这防止了盐在较高温度下蒸发。有利地,该方法可以在空气存在下进行。
本发明涉及陶瓷粉末的制备,尤其涉及非氧化物陶瓷粉末的制备,所述陶瓷粉末包括氮化物、碳化物或硼化物,并且在此尤其也涉及MAX相粉末的合成。
现有技术
已知的是,非氧化物材料的合成总是在保护气氛中或在真空中进行,以抑制在存在氧的情况下的材料氧化。因此,不可避免的要求是,必须被保护以免受不期望的氧化的非氧化物材料的加工通常在氩气、氮气的保护气氛中或在真空中进行。
MAX相的合成目前同样在氩气下或在真空中在直至超过1000℃的温度下进行。MAX相被理解为通式Mn+1AXn的化合物,其中M=过渡元素(例如Ti、V、Cr、……),A=A族元素(Al、Si、……)、X=碳或氮,和n = 1、2或3。MAX相按照一般定义表示一类三元氮化物和碳化物。MAX相的制备通常以烧结步骤进行,所述烧结步骤通常也称为“反应性烧结”。然而在这种方法步骤中不能将MAX相制成为自由粉末,该自由粉末对于进一步的造型(konturgebende)工艺是必要的。
MAX相的第一个实例(Ti3SiC2)由Jeitschko和Nowotny首次制备,其中混合的氢化钛、硅和石墨在石墨坩埚中在2000℃下加热[1]。然而,这些高温使得大规模的MAX合成无利可图。
Barsoum等人使用例如钛、碳和碳化硅的混合粉末来制备MAX相(Ti3SiC2),其中,在1600℃下热压粉末混合物,并且在此设定40 MPa的单轴压力[2]。如此制备的MAX相是完全致密的,并且显示出简单的形状,其还须机器加工以用于进一步的造型。就此而言,为了借助上述方法由致密材料制备MAX相自由粉末,需要附加的研磨或磨削工艺。
整块Ti3SiC2也已经通过化学气相沉积(英文:chemical vapour deposition,CVD)法合成,其中使用了钛、硅和碳的氯化物前体[3]。
这种制备MAX相的方法的缺点通常是低的沉积速率和昂贵并经常有毒的前体。此外,CVD不适合合成粉末,而仅适合于在基材上沉积薄的膜或层。
所有上述方法都描述在氩气或氮气的保护气氛中或在真空下制备MAX相粉末。
通过熔融盐的氧化物和碳化物陶瓷粉末的合成路线也是已知的。然而在这种方法中,总是设定保护气氛或真空,这增加了这种合成的成本。
Guo等人已经在保护气体气氛(氩气)下通过由NaCl的熔融盐作为熔剂(Flussmittel)制备了Ti3SiC2 MAX相[4]。
Cr2AlC粉末也已经借助于熔融盐合成,对于所述熔融盐使用比例为1:1的NaCl和KCl的混合物作为熔剂。在真空下将反应混合物填充到石英管中并且在高温下热处理。该方法也总是需要保护气氛或真空,以促进高温下的反应。
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