[发明专利]具有用于带宽提升的配置发射和自适应结分布的选择性照明的集成光电探测器的方法和系统

说明书

具有用于带宽提升的配置有发射和自适应结分布的选择性照明的集成光电探测器的方法和系统可以包括光子芯片，该光子芯片包括输入波导和光电二极管。光电二极管包括吸收区域，在吸收区域的第一侧具有p掺杂区域，并且在吸收区域的第二侧具有n掺杂区域。经由输入波导在吸收区域中接收光信号，该输入波导偏移到吸收区域的中心轴的一侧；基于接收的光信号生成电信号。吸收区域的第一侧可以是p掺杂的。p掺杂区域和n掺杂区域可以沿着光电二极管的长度在吸收区域的第一侧和第二侧交替。吸收区域可以包括锗、硅、硅/锗或吸收期望波长的光的类似材料。

交叉引用相关申请/通过引用结合相关申请

本申请要求2017年6月8日提交的美国临时申请62/516,949和2018年6月6日提交的美国专利申请第16/001,135号的优先权和权益，这两个申请通过引用整体结合于此。

技术领域

本公开的方面涉及电子组件。更具体地，本公开的某些实现涉及具有用于带宽提升的配置发射和自适应结分布的选择性照明的集成光电探测器的方法和系统。

背景技术

用于集成光电探测器的传统方法可能是昂贵的、笨重的和/或低效的，例如，可能是复杂的和/或耗时的，和/或可能由于损耗而具有有限的响应度。

对于本领域技术人员来说，通过将这种系统与本公开的一些方面进行比较，常规和传统方法的进一步限制和缺点将变得显而易见，如在本申请的剩余部分中参考附图所阐述的。

发明内容

提供了具有用于带宽提升的配置发射和自适应结分布的选择性照明的集成光电探测器的系统和方法，大致如权利要求中更完整阐述的至少一个附图所示和/或结合至少一个附图描述的。

通过以下描述和附图，将更全面地理解本公开的这些和其他优点、方面和新颖特征及其所示的实施方式的细节。

附图说明

图1A是根据本公开的示例实施方式的具有选择性照明的集成光电探测器的光子使能集成电路的框图；

图1B是示出根据本公开的示例实施方式的示例性光子使能集成电路的示图；

图1C是示出根据本公开的示例实施方式的耦接到光纤电缆的光子使能集成电路的示图；

图2A和图2B示出了根据本公开的示例实施方式的集成光电探测器的两个示例；

图3A和图3B示出了根据本公开的示例实施方式的锗光电二极管的各个部分的计算带宽；

图4示出了根据本公开的示例实施方式的具有不对称发射的光电二极管的俯视图和剖视图；

图5示出了根据本公开的示例实施方式的具有不对称发射的光电二极管的俯视图功率分布；

图6示出了根据本公开的示例实施方式的具有倏逝耦合的光电二极管；

图7示出了根据本公开的示例实施方式的具有交替的n型掺杂和p型掺杂的光电二极管；

图8示出了根据本公开的示例实施方式的沿着可变结位置锗光电二极管的带宽分布。

具体实施方式