[发明专利]加压安装用NCF、其固化物以及使用其的半导体装置

说明书

加压气氛下固化用半导体封装先供给型膜，其在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下，在260℃以上加热5～90秒后在120℃下的熔融粘度为200Pa·s以下，并且包含：(A)固体环氧树脂；(B)在室温下为液态并含有下述式1、式2的结构中的至少一种的芳香族胺，(C)二氧化硅填料；(D)Mw为6000至100000的高分子树脂，其中，(A)成分的环氧当量为220～340，相对于(A)成分100质量份，含有6～27质量份的(B)成分，相对于各成分的合计质量100质量份，(C)成分的含量为20～65质量份，(A)成分和(D)成分的含量比((A):(D))为99:1～65:35。

技术领域

本发明涉及加压安装用NCF、其固化物以及使用其的半导体装置。

背景技术

以往，在半导体安装中进行倒装芯片法(フリップチップ法)：使形成有IC(集成电路)芯片的电极(凸点)的面与形成有基板的电极(电极极板)的面相对，将IC芯片的凸点和基板的电极极板(電極パッド)电连接。

在该倒装芯片法中，为了从外部保护电极彼此的连接部分，缓和由IC芯片与基板的线膨胀系数不同引起的应力，通常在电极连接后，使半导体芯片和基板之间流入被称为底部填充剂(アンダーフィル剤)的液态热固化型粘接剂并使其固化。

近年来，IC芯片的微小化正在急速发展。与此相伴，邻接的电极间的间距(ピッチ)、半导体芯片与基板之间的间隙(ギャップ)有越来越窄的倾向。因此，当利用毛细管现象使底部填充剂流入IC芯片与基板之间时，会产生空隙(ボイド)，产生底部填充剂的流入需要长时间等问题。

因此，尝试了所谓的先入法(先入れ法)(参照专利文献1)：预先将被称为NCP(非导电胶)的液态粘接剂或被称为NCF(非导电膜)的膜状粘接剂涂布或粘贴在基板上，然后，利用倒装芯片粘合机等通过热压粘合(Thermal Compression Bonding：TCB)使树脂固化，连接IC芯片的凸点和基板的电极极板。

作为抑制半导体安装时的空隙的方法，提出了在加压气氛下加热进行安装的加压安装(参照专利文献2、专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-503220号公报

专利文献2：日本特开2013-123033号公报

专利文献3：国际公开WO2016/148121号

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供适于加压安装的NCF，更具体而言，提供在加压安装中使用的情况下空隙抑制效果高的NCF、其固化物以及使用其的半导体装置。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，本发明是一种加压气氛下固化用半导体封装先供给型膜(加圧雰囲気下硬化用半導体封止先供給型フィルム)，其特征在于，所述加压气氛下固化用半导体封装先供给型膜在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下，在260℃以上加热5秒～90秒后在120℃下的熔融粘度为200Pa·s以下，并且包含：

(A)固体环氧树脂；

(B)在室温下为液态并含有下述式1、式2的结构中的至少一种的芳香族胺，

[化1]

[化2]

(C)二氧化硅填料；

(D)质均分子量(Mw)为6000至100000的高分子树脂，

其中，上述(A)成分的环氧树脂的环氧当量为220～340，